薄镁膜的结构研究

摘要： 本工作采用可变能量正电子湮没谱学(VEPAS)研究Mg薄膜中的缺陷。通过结合扫描电子显微镜和X射线衍射进行VEPAS表征，分别测定晶粒尺寸和织构。本研究旨在考察沉积温度及不同衬底对射频磁控溅射制备的Mg薄膜结构和缺陷的影响。SEM观测显示，蓝宝石(0001)衬底上沉积的薄膜晶粒始终小于非晶熔融石英和硅(100)衬底上的薄膜，后两者晶粒尺寸相当。VEPAS缺陷研究表明，所研究Mg薄膜中的正电子被捕获于失配位错和晶界处的类空位缺陷中。此外，300℃加热衬底上沉积的薄膜比室温沉积的薄膜具有更低的缺陷浓度和更大的晶粒尺寸。将室温沉积的薄膜在300℃退火1小时后，由于晶粒粗化导致缺陷密度略有降低。