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用于深紫外光发射器的III族氮化物短周期超晶格
摘要： III族氮化物短周期超晶格（SPSLs）的周期不超过约2纳米（约8个单原子层），具有若干独特性质，能够实现深紫外波段发光器件的设计制造，并显著降低有源层中的位错密度。此类SPSLs既可采用分子束外延法也可通过金属有机化学气相沉积技术生长。本综述更详细地讨论了前一种生长方法，并阐述了这类SPSLs的电学与光学特性，以及基于该材料体系的深紫外发光器件设计与制备方案。
关键词： III族氮化物、发光器件、短周期超晶格
更新于2025-09-23 15:21:01
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氮化镓/铟铝氮啁啾短周期超晶格作为蓝光激光二极管的无应变顶部包层
摘要： 本研究对无应变啁啾短周期超晶格（C-SPSL）作为450nm发射的InGaN激光二极管（LD）顶部波导芯层和包层进行了理论分析。原参考LD采用总厚度530nm的结构（含100nm p-GaN波导层、30nm Al0.15Ga0.85N电子阻挡层及Al0.065Ga0.935N包层），现替换为300nm厚的C-SPSL结构——包含33周期10层GaN/2层In0.18Al0.82N、48周期6层GaN/2层In0.18Al0.82N及97周期2层GaN/2层In0.18Al0.82N。参考LD的光学限制因子为3.28%，而C-SPSL LD达到3.42%。通过高折射率对比的C-SPSL结构，在减薄厚度的同时实现了更优的光学限制。该结构应变可忽略不计，在约10kA/cm2注入电流密度下，电子泄漏从2.54kA/cm2降至0.166kA/cm2，空穴输运能力提升2.31kA/cm2。C-SPSL构型还增强了电子阻挡效应，因此无需设置电子阻挡层。新结构在500mA（10kA/cm2）电流注入下的光输出功率达248mW（参考LD约143mW），斜率效率从约0.55W/A提升至约0.89W/A，I-V特性动态电阻也从约1.12Ω降至约0.94Ω。
关键词： 超晶格包层，无应变顶部包层，短周期超晶格，氮化铟镓激光二极管
更新于2025-09-23 15:19:57