氧终止轻掺硼化学气相沉积单晶金刚石上的欧姆石墨-金属接触

摘要： 开发出一种在氧终端轻掺硼化学气相沉积（CVD）单晶金刚石薄膜上制备欧姆接触的方法。样品采用传输线模型（TLM）构型通过钛/金金属焊盘进行接触，这些电接触被设置在CVD硼掺杂层上制备的台面结构上。其中一个样品额外进行了10千电子伏氦离子注入，在接触前诱导金刚石表面下方形成石墨层以改善电导率。通过TLM方法对两种器件的电学性能进行表征和对比：金属电极样品呈现微弱非线性导电特性，而石墨/金属接触则表现出欧姆行为——当掺杂水平为10^17 cm^-3量级时，其比接触电阻低至3.3×10^-4 Ω·cm2。该方法为制备本征或低掺杂金刚石的高效欧姆接触开辟了新途径，这对电子器件和探测器的研发至关重要。