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oe1(光电查) - 科学论文

150 条数据
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  • [IEEE 2018年第15届第四届光子学国际会议(GFP) - 坎昆(2018.8.29-2018.8.31)] 2018年IEEE第15届第四届光子学国际会议(GFP) - 利用遗传算法优化宽带工作的偏振分束器

    摘要： 我们提出了一种基于遗传算法（GA）的宽带偏振分束器设计方法。该器件被分割为若干短段，每段的几何参数通过遗传算法确定。

    关键词： 遗传算法、硅光子学、定向耦合器、宽带、优化、分束器

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2018年第15届第四届光子学国际会议(GFP) - 坎昆(2018.8.29-2018.8.31)] 2018年IEEE第15届第四届光子学国际会议(GFP) - 基于普克尔效应的硅基钛酸钡多环谐振器电场调谐

    摘要： 我们展示了钛酸钡-硅混合光子结构中的光学调谐。多环谐振器的各个谐振峰合并为单一谐振峰。关键的是，器件性能随时间保持稳定。我们的器件可实现可调谐波长滤波器，并为补偿制造缺陷提供低功耗解决方案。

    关键词： 环形谐振器，钛酸钡，硅光子学，普克尔斯效应

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 坎昆(2018.8.29-2018.8.31)] 2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 基于亚波长光栅的硅基光子学四通道上下路复用器

    摘要： 我们展示了一种基于亚波长光栅反向耦合器的紧凑型硅光子四通道光学上下路波长复用器。该器件的通带表现出芯片插入损耗低于1.3分贝，具有约6.7纳米的宽3分贝带宽，适用于短距离光互连应用中的粗波分复用（CWDM）。

    关键词： 添加-删除复用器、硅光子学、亚波长结构、反向耦合器

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 坎昆(2018.8.29-2018.8.31)] 2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 关于将SOI光子学上实现的量子光学对源转移到电子晶圆上的研究

    摘要： 基于绝缘体上硅技术实现了一种用于粗波分复用和密集波分复用发射的微环辅助光子对引擎。该光子芯片中光子对发射的符合计数显示出95%的可见度。在将器件晶圆级转移至1550纳米波段的BiCMOS电子晶圆后，仅观察到轻微的性能退化。

    关键词： 光子对源，三维集成，硅光子学，量子光学

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2018年IEEE日本CPMT研讨会(ICSJ) - 日本京都 (2018.11.19-2018.11.21)] 2018年IEEE日本CPMT研讨会(ICSJ) - 面向数据中心应用的混合集成硅中介层实现的400G多模与单模光发射器

    摘要： 我们基于硅中介层实验性验证了400G多模（MM）与单模（SM）光引擎，该中介层实现了激光芯片、光学元件和光纤阵列的混合集成。通过硅体微加工技术制成的中介层使引擎结构极为紧凑，并凭借内置硅材料的精密加工特性实现便捷组装。测试结果显示：多模光引擎中50Gb/s垂直腔面发射激光器（VCSEL）和单模光引擎中100Gb/s电吸收调制激光器（EML）分别获得了TDECQ为1.7dB和2.7dB的清晰光眼图。

    关键词： 光学引擎、混合集成、垂直腔面发射激光器（VCSEL）、光子子组件（OSA）以及电吸收调制激光器（EML）、硅中介层、硅光子学

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 基于SOI的柔性滤波元件，具有宽带可调谐特性及全自由光谱范围调节能力

    摘要： 我们展示了一种绝缘体上硅柔性滤波元件，该元件采用两个串联耦合的微环谐振器，并配备三个作为可变光耦合器的热光调谐马赫-曾德尔干涉仪。通过单电极配置实现了滤波元件的低复杂度热光控制，从而支持带宽和波长的可调谐性。通过仿真分析详细研究了该?？榈男阅?，并通过实验评估验证了所得结果。实现了9 GHz至103 GHz的宽频带调谐范围，功率效率为0.284 mW/GHz；同时实现了全自由光谱范围波长调谐，效率为0.297 mW/GHz。?？椴迦胨鸷牡陀? dB。

    关键词： 硅光子学、光开关、微环谐振器、带宽灵活性、热光控制、波分复用、光学滤波器

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 坎昆(2018.8.29-2018.8.31)] 2018年IEEE第15届第四组光子学国际会议(GFP) - 基于电学特性的光调制器效率估算

    摘要： 我们提出一种仅利用电学特性来估算马赫-曾德尔调制器效率的新测试方法，该方法适用于晶圆级测试。相位调制器的击穿电压与调制器效率呈现出明确的关系。

    关键词： 硅光子学，晶圆级测试，光学调制器

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 磷化铟与氮化硅的倒装芯片集成

    摘要： 我们展示了一种用于将基于磷化铟的激光源与基于氮化硅的光子平台进行混合倒装芯片集成的接口。该设计能够在宽温度范围内实现高效的高光功率耦合。通过集成锥形结构扩展激光器与氮化硅芯片的光学模式，从而获得较高的对准容差。芯片包含用于垂直对准的物理定位挡块。在水平方向上，该集成接口采用精确的视觉对准标记进行优化，支持主动和/或视觉高精度对准。该混合集成芯片展现出超过40毫瓦的波导耦合光功率，并可在高达85°C的升温和环境下工作。

    关键词： 硅光子学、氮化硅、倒装芯片、激光器、混合集成

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 一种新型纳米级高性能相变硅光子开关的设计

    摘要： 我们报道了一种新型高静态性能通断光子开关的设计方案，该方案通过将纳米级相变材料Ge2Sb2Te5嵌入绝缘体上硅波导中实现。所提出的开关状态可通过电/光脉冲进行切换，且维持特定状态无需施加电偏压。由于Si-Ge2Sb2Te5界面处的大折射率变化及Ge2Sb2Te5的吸收特性，穿过硅波导的基?；嵯灾谋淦浯涮匦?。采用体积为400 nm × 180 nm × 450 nm（长×高×宽）的Ge2Sb2Te5嵌入式硅波导制备的光子开关，在1550 nm通信波长下实现了43 dB的高消光比和2.76 dB的低插入损耗。插入损耗与消光比存在权衡关系：当要求10 dB消光比时，采用400 nm × 30 nm × 450 nm（长×高×宽）的超小激活体积可使插入损耗低至1.2 dB。此外，光谱响应研究表明该开关在1500-1600 nm波长范围内能保持超过30 dB的消光比。本光子开关优异的静态性能直接源于Ge2Sb2Te5激活体积的精准设计及其在绝缘体上硅波导中的集成结构。我们还提出了适用于无偏置（非易失性）光子开关的品质因数评价体系，该体系综合考量了静态性能的关键参数。

    关键词： 硅光子学，相变材料，纳米光子学，光子开关

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 硅基光子学集体直接键合技术

    摘要： 光电器件通常需要与硅电路集成的III/V族器件进行异质结构集成。由于吞吐量放置比放置精度更重要，集体芯片到晶圆键合是这些应用中一个有趣的过程。此外，由于光需要通过键合界面传播，必须最小化界面材料。因此提出了芯片到晶圆的集体直接键合。评估了键合良率以及首次放置精度。

    关键词： III/V族集成、共晶直接键合、硅光子学、硅基光子学

    更新于2025-09-23 15:21:21