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oe1(光电查) - 科学论文

11 条数据
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  • 基于胆碱氯化物的离子液体中硒化铅薄膜的电沉积

    摘要： 该论文展示了在70℃条件下，以胆碱氯化物（ChCl）为基础的两种离子液体中电沉积PbSe薄膜的实验结果，这两种离子液体分别为胆碱氯化物-乙二醇（ILEG）和胆碱氯化物-尿素（IL）共晶混合物，其中PbCl?和SeO?作为前驱体。本文详细研究了二元半导体化合物PbSe以及单一元素Pb和Se在电沉积过程中涉及的阴极过程。含有Pb2?+Se??的离子液体的循环伏安曲线阴极支依次显示了Se欠电位沉积、Se本体沉积、Pb沉积，随后形成PbSe半导体化合物。然而，在最负电位下，最终膜层中的Se含量因Se的部分电化学溶解（还原为可溶性Se2?物种）而降低。在70℃下通过恒电位控制对铜或镍基底进行0.5-4小时的PbSe薄膜电沉积。采用SEM-EDX和XRD技术对附着均匀的沉积物进行了表征。SEM图像显示沉积物附着良好且呈灰色，具有均匀的形貌和立方PbSe晶体。EDX元素分析表明其化学计量比约为Pb?.?Se。XRD证实形成了PbSe化合物，显示出纳米晶结构，晶粒平均尺寸在10-35纳米范围内。

    关键词： DES离子液体、电沉积、硒化物半导体、硒化铅、循环伏安法

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [IEEE 2017年国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 新竹(2017.10.18-2017.10.20)] 2017年国际电子器件与固态电路会议(EDSSC) - 敏化处理对PbSe薄膜表面特性的影响

    摘要： 本报告重点研究了敏化多晶硒化铅（PbSe）薄膜的表面特性，这些特性可能显著影响光电导器件的最终性能。通过对敏化前后PbSe薄膜表面元素化学状态、电流分布及相关形貌的表征，证实敏化后表面特性及光电导器件性能均发生显著改变。同时对该机制进行了探讨。

    关键词： 表面特性，硒化铅，光电导性，敏化作用

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 掺杂PbSe量子点的1.7微米波长光纤环形激光器数值模拟

    摘要： 首次通过数值模拟提出并研究了一种工作在1.7微米波长的硒化铅量子点掺杂光纤环形激光器。展示了不同仿真参数下的时域和光谱特性，观察到并分析了采用不同仿真参数获得的时域波形存在显著差异的现象。这些结果为深部生物医学应用中产生1.7微米连续波和脉冲激光提供了新的实用途径。

    关键词： 光纤激光器，1.7微米波长，硒化铅（PbSe）量子点

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 高效纳米结构PbSe0.5Te0.5展现出宽优值平台

    摘要： 为获得优异的能量转换效率，热电（TE）材料需在宽温域内展现较高的优值系数（ZT）。基于此方向，通过纳米结构化方法开发出具有增强型且温度不敏感特性的n型PbTe0.5Se0.5材料。该材料在400K至600K温区内呈现0.7的温度不敏感ZT值。其宽温域内增强的稳定ZT特性归因于多种纳米结构的存在：这些结构既促进中长波声子散射以维持低热导率，又散射低能载流子从而提升塞贝克系数（600K时达-380 mV/K）。多数热电n型材料（如PbQ(Q=Te,Se)体系）在室温下ZT极低，影响整体转换效率。而本材料在PbQ(Q=Te,Se)体系中展现出室温最高ZT值，使其适用于可穿戴热电器件。本研究采用新引入的技术计算热电转换效率，解决了传统效率计算的高估问题。该材料在300K-600K范围内发电效率超过诸多先进热电n型材料，成为废热回收应用中的竞争性材料。

    关键词： 废热回收、工程优值系数、可持续能源、热电发电效率、纳米析出相、硒化铅

    更新于2025-09-22 17:12:39

  • 体带隙硒化铅纳米晶体的胶体合成

    摘要： 硒化铅量子点（QDs）是低带隙IV-VI族半导体纳米材料，已应用于多种领域研究。通过胶体法制备可形成从小球形到大立方形纳米晶体，目前报道的尺寸上限约为17纳米。本文描述了一种两步法制备20-40纳米尺寸范围立方PbSe纳米晶体的方法：首先采用快速注射法生成约10纳米PbSe量子点，随后用额外铅和硒前驱体进行包覆处理。我们研究了两种铅试剂的应用效果——油酸铅仅能获得最大20纳米的立方体，而反应活性更高的己酸十六烷基铅则生成了具有体相带隙的更大尺寸纳米材料，但该样品同时存在团聚现象。采用X射线粉末衍射表征大尺寸应变纳米材料时需格外谨慎，因谢乐公式在此不适用，而更严谨的威廉姆森-霍尔法分析结果与电子显微镜观测一致。

    关键词： 硒化铅、纳米材料、导电性、半导体、量子点

    更新于2025-09-22 18:21:13

  • 三维量子点超晶格自组装中的集体拓扑外延

    摘要： 外延融合胶体量子点（QD）超晶格（epi-SLs）可能催生一类新型半导体材料，既能保持量子点的尺寸可调光物理特性，又具备类体材料的电子性能，但其发展受限于对epi-SL形成机制与表面化学的认知不足。本研究通过X射线散射及单颗粒超晶格的关联电子成像与衍射技术，揭示了三维PbSe QD epi-SL薄膜的形成机理。我们发现该epi-SL由菱方畸变体心立方母相超晶格经相变生成——量子点在迁移过程中仅发生微小旋转（约10°），并通过三维{100}晶面外延融合。这种集体外延转变在每个超晶格颗粒内103-10?个量子点间呈现原子级拓扑有序性。采用原子层沉积法用氧化铝填充epi-SL后，其电学性能显著改变而超晶格结构保持不变。本研究阐明了三维QD epi-SL的形成机制，并揭示了表面化学对这些材料中电荷传输的关键影响。

    关键词： 超晶格、原子层沉积、拓扑外延、硒化铅、胶体量子点、外延融合

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • PbE（E = S, Se）胶体量子点-层状二维材料混合光电探测器

    摘要： 混合铅硫属化合物（PbE）（E = S, Se）量子点（QD）-层状二维材料体系是一类新兴的光电探测器，具有独特潜力可拓展现有技术范围并轻松集成至当前互补金属氧化物半导体（CMOS）兼容架构中。本文综述了混合PbE QD-层状二维光电探测器的最新进展，并将其置于层状二维材料与QD薄膜电荷传输研究的关键发现背景下，这些发现为混合体系提供了可借鉴的经验。我们展示了采用多种层状二维材料（包括石墨烯和过渡金属硫属化合物）并通过不同器件结构敏化PbE QD的光电探测器。通过对比多种器件的性能指标（如响应度R和探测率D*）来评估探测器性能。最后展望未来，探讨了器件发展的潜在方向，包括新型材料及器件处理/制备方案的可能性。

    关键词： 光电探测器、磷烯、红外线、硫化铅、石墨烯、层状二维材料、过渡金属二硫化物、胶体量子点、硒化铅

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 硫系化合物 || 铅盐光电探测器及其光电特性表征

    摘要： 通过化学浴沉积法制备的铅盐光导体因其卓越的性价比、优异的室温性能（D*≈1×101?）以及大面积探测器制备能力，成为主流红外探测器。本文综述了铅盐探测器的发展历程，重点介绍了近年来的研究进展。首先概述了铅盐探测器的化学浴沉积制备技术，随后阐述了其基本特性表征方法。文中展示了经过宽温区采集并精确校正的PbS与PbSe探测器的光谱响应数据。

    关键词： PbSe（硒化铅）、化学浴沉积、光电导体、铅盐光电探测器、PbS（硫化铅）、红外光谱范围

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 多晶PbSe薄膜金属接触的选择及其对中波红外光电探测器载流子清除与性能的影响

    摘要： 载流子扫出效应是限制中波红外（MWIR）光电探测器关键性能指标（如光电导增益、光电响应度、比探测率等参数）的诸多现象之一，进而影响采用这些探测器构建的相机整体性能。在高偏置电压和调制频率下防止光电导体中的载流子扫出，可以扩大电学工作偏压范围，从而拓展读出集成电路的设计空间与功能潜力?；诙嗑Γ≒bSe）的MWIR光电探测器在构建集成化高性能器件方面展现出巨大潜力。本文讨论了诺斯罗普·格鲁曼系统公司通过本计划研制的此类探测器金属接触电极的选择方案——该方案运用载流子俘获的复杂物理机制及接触金属与感光PbSe薄膜界面的特殊性质，使得这些探测器即便在高电场条件下也能基本避免载流子扫出效应。

    关键词： 能带理论、光电响应度、硒化铅、中波红外探测器、载流子清除

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 外延连接的量子点固体中的取向无序

    摘要： 强耦合胶体量子点（QDs）的周期性阵列可通过调控量子点的尺寸、形貌、组分、间距及组装几何结构，实现对电子能带结构的前所未有的精确控制。这包括精准设计带隙与载流子迁移率，以及金属-绝缘体转变、无质量载流子、拓扑态等非凡特性。然而目前这些理论预测的电子结构在实验实现中仍受限于结构无序性。本研究采用像差校正扫描透射电镜精确量化了外延连接量子点薄膜的取向无序度。尽管相邻量子点间存在原子级相干连接，我们发现其仍存在1.9度的标准偏差错位，导致显著弯曲应变集中于连接颈部。通过对数千个量子点的面外取向分布观测与量化，并关联面内与面外错位关系，发现面外错位的量子点与其面内相邻量子点也存在统计学上更显著的失配。运用键向序参数ψ4，我们既表征了四重对称性，又引入了局域超晶格（SL）取向的量化指标，从而实现超晶格与原子晶格（AL）局部取向序的直接对比。研究发现超晶格取向存在更显著的变异，且两种不同尺度晶格取向间存在统计学稳健但局域高度变化的关联性。在晶界处观察到AL与SL行为的显著差异：AL取向呈现锐利边界，而SL通过相邻晶粒间的晶格形变实现更平缓的过渡。AL与SL的耦合是薄膜生长的根本驱动力，这些结果表明其底层机制具有复杂性——当取向附着与超晶格生长协同发生时，简化的量子点外延附着模型可能不足以解释其生长过程与无序现象。

    关键词： 取向无序、量子点固体、自组装、扫描透射电子显微镜、纳米晶体、硒化铅

    更新于2025-09-11 14:15:04