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以拓扑绝缘体硒化铋(Bi2Se3)作为可饱和吸收体，在C波段区域实现被动调Q和锁模的掺铒光纤激光器
摘要： 我们通过使用拓扑绝缘体硒化铋（Bi2Se3）作为可饱和吸收体（SA），实验性地演示了掺铒光纤激光器（EDFL）的Q开关和锁模运行。制备的Bi2Se3 SA表现出39.8%的调制深度和90.2 MW/cm2的饱和强度。将该Bi2Se3 SA集成到激光腔中后，产生了重复频率范围为23.5 kHz至68.2 kHz、脉宽范围为2.4 μs至8.6 μs的Q开关脉冲，计算得出最大峰值功率为19.9 mW。通过在现有激光腔中额外插入5米长的单模光纤（SMF），我们的腔体还能产生重复频率为23.3 MHz、脉宽为0.63 ps的孤子锁模脉冲。在孤子光谱中观察到了由凯利边带和四波混频（FWM）引起的光谱峰。Q开关和锁模脉冲在实验室环境中均表现稳定，这使得利用Bi2Se3 SA实现紧凑、低成本的脉冲光纤激光器成为可能，可应用于各种光子学领域。
关键词： 拓扑绝缘体，硒化铋，调Q，掺铒光纤激光器，锁模
更新于2025-11-28 14:24:03
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硒化铋(Bi2Se3)层与纳米线在Stranski-Krastanov型砷化铟量子点上的生长习性
摘要： 在GaAs衬底上不同尺寸和密度的自组装Stranski-Krastanov InAs量子点上，通过分子束外延生长了硒化铋层和纳米线。通过改变生长速率和组分调控了InAs量子点的尺寸与密度。采用高分辨X射线衍射、扫描探针显微镜、能量色散X射线光谱和高分辨电子显微镜研究了Bi2Se3层的结构与生长习性。观察到(0001)晶向Bi2Se3连续层在平整InAs表面上的外延生长。相比之下，InAs量子点的存在促使主要沿[01-1]和[0-1-1]方向生长的100纳米长、20纳米宽的Bi2Se3纳米线形成。当生长持续进行时，这些纳米线会融合成完整层状结构。深入理解并控制Bi2Se3在这些表面上的生长习性，将有助于制备具有增强物理特性的新型纳米结构。
关键词： 砷化铟量子点、Bi2Se3、纳米线、拓扑绝缘体、硒化铋、分子束外延
更新于2025-09-12 10:27:22