AIP会议论文集 [AIP出版集团 第七届应用科学与技术国际会议（ICAST 2019）- 伊拉克卡尔巴拉市（2019年3月27-28日）] 第七届应用科学与技术国际会议（ICAST 2019）- 不同温度退火热蒸发制备Cu2S薄膜的结构、形貌及光学特性

摘要： 本工作通过按适当原子量混合硫和铜元素制备Cu2S合金，随后将其置于抽真空的石英安瓿中密封，在1273K下加热五小时并自然冷却。采用热蒸发技术在10^-5毫巴真空度、25纳米/秒沉积速率条件下，于玻璃基底上制备了厚度约300纳米的Cu2S粉末薄膜。所得薄膜分别在300K、373K、473K和573K温度下进行半小时热处理。通过X射线衍射技术分析了Cu2S粉末及薄膜的结构，结果表明制备的合金具有立方结构且与标准卡片一致，而制备的薄膜呈非晶态。光学测量显示Cu2S薄膜具有直接和间接跃迁的禁带宽度(Eg opt)。禁带宽度随退火温度升高略有增加，继续升温后又回升。禁带宽度从2.55eV增至2.6eV后下降。计算了透射率及折射率(n)、消光系数(k)和介电常数(εr, εi)等光学常数，这些光学常数随退火温度先降低后回升。