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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 自组装分子单层掺杂硅中硼的完全活化

    摘要： 自组装分子单层（SAMM）掺杂技术在先进纳米电子学领域具有巨大潜力，其原子级精度和非破坏性三维表面掺杂的独特特性尤为突出。然而最新研究发现，SAMM引入的碳杂质会通过形成多数载流子陷阱显著降低磷掺杂剂的激活率。因此，开发无缺陷且具有高掺杂剂激活率的SAMM掺杂技术对可靠应用至关重要。鉴于硅中替代位硼与碳无相互作用，本研究采用霍尔测量和二次离子质谱（SIMS）分析SAMM技术硼掺杂硅的激活率，并通过深能级瞬态谱（DLTS）和少数载流子瞬态谱（MCTS）解析缺陷特性。与磷掺杂剂不同，硼掺杂剂的激活率接近100%，该结果与缺陷测量数据（DLTS和MCTS）一致——仅不足1%的硼掺杂剂与氧杂质结合形成多数空穴陷阱。值得注意的是，以CsH和CsOH形式存在的碳相关缺陷在硼掺杂硅中仅作为少数载流子陷阱态捕获电子。因此高浓度碳杂质不会影响硼掺杂剂的激活率。

    关键词： 掺硼硅，完全激活，分子单层掺杂，碳相关缺陷，少数载流子陷阱

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 非晶态SiO?中碳相关缺陷的结构稳定性与能级及其与SiC的界面

    摘要： 我们通过分子动力学中的熔融淬火技术，采用密度泛函计算系统阐明了非晶态SiO2中碳相关缺陷的稳定形态及其能级?；赟iC/SiO2界面近端与远端氧化学势的位置依赖性，我们确定了最主要的碳相关缺陷形态：远离界面时，SiO2内部空间富集的CO2或CO电子惰性显著；靠近界面时，碳聚集现象更易发生，其中特定的单碳缺陷和双碳缺陷会在SiC导带底附近引入能级，因而成为载流子陷阱的潜在候选者。

    关键词： 熔淬技术、非晶态SiO?、碳相关缺陷、密度泛函计算、SiC/SiO?界面

    更新于2025-09-10 09:29:36