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通过光电子衍射对Fe?O?进行位点敏感的X射线光电子能谱研究
摘要: 使用软X射线和硬X射线测量了磁铁矿的Fe 2p芯能级光电子能谱,并研究了其发射角依赖性。由于每个原子位点周围的原子排列不同,来自不同原子位点的光电子衍射图样存在差异。通过选择各原子位点特有的前向聚焦峰(FFP)方向,并测量Fe 2p芯能级范围内FFP强度的动能依赖性,我们成功检测到不同发射方向上Fe 2p芯能级能谱峰强度的变化。该结果与近期研究一致,表明Fe 2p芯能级能谱中较低结合能峰可能归属于B位点组分。
关键词: 光电子衍射、磁性材料、混合价态
更新于2025-09-10 09:29:36
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通过化学气相沉积在单晶衬底上生长的Mn3O4薄膜的结构与性能
摘要: 采用化学气相沉积法(CVD)在氧气氛围下,以氟化锰(II)二酮-二胺加合物为起始原料,在SrTiO3(111)和Y3Al5O12(100)衬底上制备了Mn3O4薄膜。通过多技术表征手段研究了所得体系,以阐明制备条件与其理化性质之间的相互作用。结果表明形成了相纯且均匀的α-Mn3O4(黑锰矿)薄膜,其具有光滑形貌、显著的可见光吸收特性以及直接依赖于所用衬底的结构特征。由于所使用的锰化合物同时作为锰和氟的单源前驱体,目标体系被均匀掺杂了氟元素。此外,磁力显微镜测量揭示了目标材料中自旋畴和长程磁有序的形成,为其未来作为磁性介质应用于数据存储器件集成铺平了道路。
关键词: Y3Al5O12(100)、SrTiO3(111)、Mn3O4薄膜、化学气相沉积、磁性材料
更新于2025-09-10 09:29:36
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具有磁可回收性的Ag/Bi2Fe4O9纳米颗粒作为可见光驱动光催化剂
摘要: 本论文报道了用作光激发催化剂的磁性可回收Ag/Bi2Fe4O9纳米颗粒(BFO NPs)。Ag NPs均匀分布在BFO NPs表面。与BFO NPs相比,由于Ag NPs具有高表面等离子体共振和电子传导性,Ag/BFO NPs在可见光下对甲基橙的分解速率显著提高。此外,Ag/BFO NPs的饱和磁化强度高于BFO NPs,使其在磁场下易于收集。因此,Ag/BFO NPs是降解环境污染物方面具有潜力的可回收可见光驱动光催化剂。
关键词: 磁性材料,Ag/Bi2Fe4O9,纳米粒子,可回收光催化剂
更新于2025-09-09 09:28:46
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BaTi0.67?xMn0.33 + xO3(x = -0.02、-0.01、0、0.01和0.02)中的自旋二聚体形成
摘要: 将6H-Ba3Ti2MnO9中Mn的浓度略微调整至偏离化学计量比。结构分析表明,当Mn浓度略高于化学计量比时可能形成自旋二聚体。通过结合直流磁化率和X波段(9.4 GHz)电子自旋共振(ESR)研究了磁性:直流磁化率显示出受挫自旋与短程自旋共存的特征;ESR显示BaTi0.65Mn0.35O3中可形成自旋二聚体,而在BaTi0.69Mn0.31O3和Ba3Ti2MnO9中未发现自旋二聚体的特征信号。
关键词: 低维磁体、自旋二聚体、磁性材料、陶瓷复合材料、钙钛矿氧化物
更新于2025-09-09 09:28:46
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具有高横向分辨率的定制化磁力显微镜探针
摘要: 磁力显微镜(MFM)是一种广泛应用的磁成像技术。该技术除具有空间分辨率高、便于表征相关应用材料等优势外,在标准条件下工作时存在针尖杂散磁场不可控及横向分辨率较低的主要缺陷。本研究提出一种简便快捷的低成本方法,可制备出具有亚10纳米(地形分辨率)和亚25纳米(磁分辨率)横向分辨率的高性能MFM探针。该方法不仅能定制针尖杂散磁场以避免样品磁化状态受针尖诱导改变,还可通过选用安装在硬质(或软质)悬臂梁上的探针来优化真空(或液体介质)环境中的MFM成像效果——这是目前市场上尚无的先进技术。
关键词: 磁性材料、原子力显微镜探针、高分辨率显微镜、原子力显微镜(AFM)、磁力显微镜(MFM)
更新于2025-09-04 15:30:14
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Mn4?Ni N薄膜在MgO(001)衬底上的分子束外延生长及其磁性能
摘要: 我们通过分子束外延技术在MgO(001)衬底上生长了Mn4?xNixN外延薄膜,并研究了其晶体质量和磁学性能。X射线衍射和反射高能电子衍射证实,当x≥2时薄膜会分解为Ni8N或Mn-Ni合金,但降低衬底生长温度可缓解这种分解。除高Mn比例情况外,晶格常数随镍替代量增加而减小,同时晶体取向趋于劣化。振动样品磁强计测试表明:少量镍替代会导致饱和磁化强度(MS)和垂直磁各向异性(PMA)减弱——MS值从Mn4N的86.3±1.1 emu/cm3显著降至Mn3.85Ni0.25N的19.0±0.5 emu/cm3,磁各向异性常数相应从约0.94 Merg/cm3降至0.027 Merg/cm3。进一步镍替代会使PMA完全消失。最终通过微量镍替代实现了小MS与PMA的共存,这些特性支持自旋转移矩效应,可应用于基于磁畴壁运动的新兴非易失性存储器件。
关键词: A3. 分子束外延 A1. 晶体结构 B1. Mn4N B2. 磁性材料 B1. MgO B1. Ni4N
更新于2025-09-04 15:30:14