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oe1(光电查) - 科学论文

7 条数据
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  • 锌离子修饰的磷化铟量子点用于增强硫化氢氧化产氢的光催化性能

    摘要： 通过直接在环境条件下向磷化铟量子点（InP QDs）溶液中添加无机锌离子，我们在此提出一种简便而有效的方法来修饰InP QDs，用于从硫化氢（H2S）中光催化制氢。X射线衍射图谱和透射电子显微镜图像表明，锌离子对InP QDs的晶体结构和形貌没有显著影响，而X射线光电子能谱和紫外-可见漫反射光谱显示锌离子主要吸附在InP QDs表面。光催化结果表明，修饰后的平均产氢速率提高了2.9倍，且H2S确实参与了产氢过程。稳态和瞬态光致发光光谱证明，锌离子能有效消除InP QDs表面的陷阱态，这对抑制载流子复合至关重要。此外，锌离子与InP QDs表面硫化物之间的静电相互作用可减轻QDs与硫化物/硫氢化物之间的排斥，从而可能促进光催化过程中的表面氧化反应。该工作避免了传统量子点表面钝化所需的苛刻复杂操作，为光催化中量子点的优化提供了一种便捷途径。

    关键词： 硫化氢、光催化产氢、磷化铟量子点、表面改性

    更新于2025-10-22 19:38:57

  • 掺镁氧化锌纳米粒子薄膜作为氧化锌电子传输层与磷化铟量子点层之间发光二极管的中间层

    摘要： 由于具有从可见光区到近红外区的宽发射光谱可调谐性，基于磷化铟的胶体量子点（QDs）在下一代全彩显示器和固态照明领域展现出巨大应用前景。研究人员通过采用镁掺杂氧化锌纳米颗粒（ZnMgO NPs）作为电子传输层氧化锌与活性磷化铟量子点层之间的中间层，制备出性能提升的磷化铟量子点发光器件（QLEDs）。研究发现，ZnMgO NPs能降低电子注入并抑制激子猝灭，这归因于器件中电荷平衡的改善。我们成功实现了高效红光和绿光QLEDs的最大电流效率分别达到5.46和5.91 cd/A，显著高于未使用ZnMgO NP层的对照器件（2.31和2.36 cd/A）。这些结果表明该方法是提升无重金属QLEDs商业化应用的有效途径。

    关键词： 磷化铟量子点、镁掺杂氧化锌、电子传输层、发光二极管、电荷平衡

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 氧合锌簇提升了磷化铟量子点的光电性能

    摘要： 本研究通过简单热处理控制羧酸锌反应活性，探究了锌前驱体对InP量子点光学性质的影响?；矢ㄖす饨馕?电离飞行时间质谱(MALDI-TOF MS)证实，油酸锌热分解过程中会形成Zn4O(油酸)6和Zn7O2(油酸)10等锌氧簇。以这些锌氧簇作为反应前驱体，成功合成了高荧光量子产率(PLQY)与窄半峰宽(FWHM)的高质量InP量子点（绿色QDs：PLQY=95%，FWHM=37 nm；红色QDs：PLQY=84%，FWHM=40 nm）。分析表明，锌氧簇通过两大关键作用改善了光电性能：1）抑制高活性磷源的快速消耗并诱导In(Zn)P核尺寸均匀性；2）促进氧化缓冲层形成以有效控制缺陷。同样，采用反应活性可控物种是制备精准设计量子点的有效策略。

    关键词： 半高宽，磷化铟量子点，光电性质，光致发光量子产率，锌氧簇

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 掺铝硫化锌壳层包覆的磷化铟量子点具有增强的热稳定性

    摘要： 胶体InP量子点（QDs）作为下转换液晶显示器和发光二极管（LEDs）中的环保发光材料，已引发广泛关注。在InP核量子点上包覆ZnS壳层有助于实现高光致发光（PL）量子产率（QY）和稳定性。然而，由于难以在不产生晶体缺陷的情况下生长厚ZnS壳层，与Cd硫属化合物先例（如CdSe/CdS核/厚壳量子点）相比，InP基核/壳量子点在量子产率下降方面的稳定性较差。本工作展示了我们合成了包覆掺铝ZnS外壳的InP基核/壳量子点。即使壳层厚度低于2 nm，具有掺铝壳层的量子点在热稳定性和空气稳定性方面也表现出显著提升，而其吸收光谱、PL光谱、尺寸和晶体结构与原始ZnS壳层量子点几乎相同。X射线光电子能谱显示，在环境气氛下高温时，掺铝量子点中的Al3?会形成氧化铝层。该氧化铝层阻止外部氧化物质渗入量子点内部，防止量子点发生氧化降解。我们还追踪了壳层生长过程中Al3?掺入ZnS晶格的化学路径。此外，我们使用掺铝和未掺铝量子点制备了量子点LEDs，并比较了它们的光电特性和稳定性。

    关键词： 量子产率、量子点发光二极管、光致发光、掺铝硫化锌壳层、X射线光电子能谱、磷化铟量子点、热稳定性

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • InP/ZnSe、S核/壳量子点中由晶格失配和壳层厚度引起的应变——材料刚度的影响

    摘要： 我们通过拉曼光谱研究了在InP量子点外延生长低晶格常数材料ZnSe和ZnS壳层时应变积累的情况。这两种材料都会在量子点核区诱导产生压应变，且该应变随壳层体积增大而增强。我们观察到两种材料壳层行为存在差异：其厚度依赖性表明材料刚度会产生影响。ZnS具有更大的杨氏模量，只需较少材料即可在界面处对InP晶格产生应力；而ZnSe则需要多层结构才能在界面形成诱发应变的晶格。这提示材料刚度是设计应变核/壳量子点时需考虑的额外参数。

    关键词： 拉曼光谱、硒化锌、硫化锌、应变、材料刚度、磷化铟量子点

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE第34届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 巴西圣保罗(2019年8月26日-8月30日)] 第34届微电子技术与器件研讨会(SBMicro) - 用于中间带太阳能电池的II型In(As)P/InGaP量子点的跃迁能计算

    摘要： 在这项工作中，我们对用于中间带太阳能电池的InAsP II型量子点进行了计算模拟。我们改变了量子点合金的高度、宽度和磷含量百分比等参数，以确定它们对量子点内光学跃迁能量和电子限制的影响。

    关键词： 模拟、能源转型、磷化铟量子点、II型量子点

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • [2019年IEEE光子学会议(IPC) - 美国德克萨斯州圣安东尼奥市(2019.9.29-2019.10.3)] 2019年IEEE光子学会议(IPC) - InP量子点锁模激光器与材料研究

    摘要： 已展示出具有适合锁模的宽光学增益光谱的InP/GaInP量子点激光器结构。采用该材料制备了双段窄脊被动锁模激光器。针对不同腔长器件研究了锁模条件，测得最高频率为15.21 GHz。

    关键词： 锁模激光器、磷化铟量子点、光学增益与吸收

    更新于2025-09-11 14:15:04