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[IEEE 2018国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 中国成都（2018年5月7日-2018年5月11日）] 2018国际微波与毫米波技术会议（ICMMT）- 基于0.5微米InP双异质结双极晶体管技术的300GHz单片集成放大器
摘要： 我们展示了一款紧凑型6级太赫兹单片集成电路（TMIC）放大器，工作频率为275-310GHz，由共基极配置的0.5微米InP双异质结双极晶体管（DHBT）和多层薄膜微带线（TFM）布线环境构成。该放大器在小信号增益方面，在300GHz时表现出>7.4dB的增益，峰值增益在280GHz时达到12.5dB。这是中国首次报道采用TFM的H波段InP DHBT TMIC放大器。这款6级放大器的总尺寸仅为1.7毫米×0.9毫米。
关键词： 薄膜微带线（TFM）、磷化铟（InP）、H波段、放大器、异质结双极晶体管（HBTs）、太赫兹单片集成电路（TMIC）
更新于2025-09-23 15:22:29
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[2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 溶液法制备超薄SnO?钝化吸收层/缓冲层异质结及晶界以实现高效铜锌锡硫硒（CZTS）太阳能电池
摘要： 基于磷化铟的高电子迁移率晶体管（InP-HEMTs）和石墨烯沟道场效应晶体管（G-FETs）被实验性地研究作为未来宽带光通信和无线通信系统的光子频率转换器。通过利用InP-HEMTs和G-FETs的光电特性和三端功能，实现了120 GHz无线通信频段的单芯片光子双混频操作。将112.5 GHz载波上的10 Gbit/s级数据信号与87.5 GHz本振信号混频至25 GHz中频带，其中本振信号由光注入光电混频拍频信号同步自生成。结果表明，G-FET的本征沟道能够实现优于具有同等器件特征尺寸的InP-HEMT的速度性能。通过降低G-FET的外在寄生电阻并实现高效的光吸收结构，可能实现具有足够高转换增益的毫米波和亚太赫兹光子频率转换，以满足实际应用需求。
关键词： 毫米波光子学、无线接入网络、石墨烯、场效应晶体管（FETs）、高电子迁移率晶体管（HEMTs）、磷化铟（InP）、毫米波通信、频率转换
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 美国伊利诺伊州芝加哥（2019.6.16-2019.6.21）] 2019年IEEE第46届光伏专家会议（PVSC） - 宽禁带碲锌矿基太阳能电池用于半透明光伏应用的数值建模与实验实现
摘要： 基于磷化铟的高电子迁移率晶体管（InP-HEMTs）和石墨烯沟道场效应晶体管（G-FETs）被实验性地研究作为未来宽带光通信和无线通信系统的光子频率转换器。利用InP-HEMTs和G-FETs的光电特性和三端功能，在120 GHz无线通信频段实现了单芯片光子双混频操作。将112.5 GHz载波上的10 Gbit/s级数据信号与87.5 GHz本振信号下变频至25 GHz中频带，该本振信号由光注入光电混合拍频同时自生成。结果表明，G-FET的本征沟道能够实现优于具有同等器件特征尺寸的InP-HEMT的速度性能。降低G-FET的外在寄生电阻并实现高效的光吸收结构，可能使毫米波和亚太赫兹光子频率转换在实际应用中达到足够高的转换增益。
关键词： 毫米波光子学、无线接入网络、石墨烯、场效应晶体管（FETs）、高电子迁移率晶体管（HEMTs）、磷化铟（InP）、毫米波通信、频率转换
更新于2025-09-19 17:13:59
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[IEEE 2019年第44届国际红外、毫米波和太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 法国巴黎(2019.9.1-2019.9.6)] 2019年第44届国际红外、毫米波和太赫兹波会议(IRMMW-THz) - 磷化铟衬底上的无通孔微带至矩形波导过渡结构
摘要： 磷化铟（InP）是实现毫米波频段有源器件的常用材料之一。InP衬底各向同性刻蚀特性限制了无源器件的制备，因此需要采用昂贵且损耗较高的混合集成平台。本文提出一种无需通孔、经济高效的InP衬底解决方案。通过所提出的平面化方案证明：采用钉床结构作为毫米波入射的反射边界，可在InP衬底上实现矩形波导。作为概念验证，在H波段（220-320 GHz）实现了微带线到矩形波导的过渡结构，在30 GHz带宽内回波损耗达到-18dB。
关键词： 无过孔、微带线、毫米波、钉床、矩形波导、磷化铟（InP）
更新于2025-09-16 10:30:52