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稀磁半导体(Ga,Mn)(As,P)多层膜中奈尔畴壁的极端不对称性
摘要： 我们报道了在磷掺杂量呈阶梯式变化的稀磁半导体(Ga,Mn)(As,P)多层膜中，存在非常规的完美形状、完全不对称的约90°奈尔畴壁。这一结果与微磁学计算相矛盾——后者因晶体各向异性和杂散场能量而倾向于形成对称畴壁。我们证明：这种四方结构多层膜中令人费解的面内单轴各向异性与畴壁不对称性，可能同时源自层间多重锐利界面增强的Dzyaloshinskii-Moriya相互作用，以及各向异性的非相对论交换耦合。该发现表明，分子束外延过程中的组分数字化调控可用于调节磁性多层膜的各向异性与手性。
关键词： 稀释磁性半导体、Dzyaloshinskii-Moriya相互作用、磁各向异性、奈尔畴壁、分子束外延
更新于2025-09-23 15:21:01
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水热法在玻璃衬底上生长的铁掺杂氧化锌纳米棒阵列的结构、光学及磁学特性
摘要： 本文采用简便的水热法在玻璃基底上生长了未掺杂和铁掺杂的ZnO纳米棒阵列，并研究了所制备纳米棒的结构、光学及磁学性能。结构分析明确显示所制备的纳米棒具有单相纤锌矿结构且无任何杂相，未掺杂与铁掺杂纳米棒均呈垂直生长。光学表征表明，随着铁浓度增加，ZnO纳米棒的光学带隙逐渐减小。此外，研究证实形成了稀磁半导体纳米棒阵列，其室温铁磁性的起源可通过束缚磁极化子理论进行解释。
关键词： 稀释磁性半导体、束缚磁极化子、纳米棒阵列、铁掺杂氧化锌
更新于2025-09-09 09:28:46
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材料科学与工程参考模块 || 纳米结构稀磁半导体
摘要： 近年来，稀磁半导体（DMS）材料因其同时具备半导体和磁性特性而备受关注。这类材料潜在的应用领域包括自旋电子学——该技术能同时利用电子电荷及其本征自旋特性。稀磁半导体是通过掺杂磁性杂质制成的半导体。其带隙能量、磁性等物理性质不仅取决于颗粒尺寸，还与掺杂浓度相关。因此，纳米级磁性半导体的有序阵列有望成为磁电子学或自旋电子学新型器件的关键组件。
关键词： 稀释磁性半导体、带隙能量、自旋电子学、纳米级磁性半导体、磁性杂质
更新于2025-09-09 09:28:46