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oe1(光电查) - 科学论文

5 条数据
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  • 空位缺陷位置对硅纳米线热导率的影响：一项分子动力学研究

    摘要： 通过降低热导率可提升硅纳米线（SiNW）的热电优值。本研究采用非平衡分子动力学方法证明：当块体硅晶体加工成硅纳米线时其热导率会大幅下降，而引入空位缺陷能进一步显著降低热导率。研究发现"中心空位缺陷"比"表面空位缺陷"对降低热导的贡献更大。当纳米线中引入2%空位缺陷时，测得最低热导率约为原始硅纳米线的52.1%。通过振动态密度分析揭示了该现象的本质：声子的多种边界散射显著降低了热导率，且空隙导致的较大质量差异也会产生更低的热导数值。这些结果表明引入空位缺陷可增强硅纳米线的热电性能。

    关键词： 分子动力学、硅纳米线、热电性能、热导率、空位缺陷

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 辐照石墨烯场效应晶体管中的低频噪声

    摘要： 我们展示了对辐照单层石墨烯中低频噪声的定量分析。在本研究中，我们用90电子伏特的氩离子对背栅石墨烯晶体管进行反复辐照，并在每次辐照后测量其低频噪声和沟道电导率。结果表明，噪声幅度随空位缺陷密度的增加而单调递减。通过结合低频噪声测量与载流子输运研究，我们发现迁移率涨落模型可以解释这一现象，且空位缺陷密度、带电杂质密度以及载流子平均自由程共同决定了噪声幅度。

    关键词： 迁移率波动模型、低频噪声、带电杂质、辐照石墨烯、空位缺陷、平均自由程

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • [2018年IEEE精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 法国巴黎（2018年7月8日-13日）] 2018年精密电磁测量会议（CPEM 2018）- 面向未来千克定义实现的28Si单晶电子顺磁共振研究

    摘要： 在未来采用X射线晶体密度法实现千克原器时，将使用区熔法生长的同位素富集硅晶体。本文中，我们对28Si单晶AVO28进行了电子顺磁共振研究。研究发现该晶体中各类空位缺陷的浓度均低于1×1012 cm?3。因此，由此类空位缺陷导致的1千克AVO28球体所需质量亏损修正量估计小于0.4微克。

    关键词： 电子顺磁共振、硅晶体、测量不确定度、千克、空位缺陷

    更新于2025-09-10 09:29:36

  • 晶体硅中氢与空位缺陷的相互作用

    摘要： 氢是硅中最重要杂质之一。它是一种具有高迁移性和反应活性的物质，能够钝化位错、表面和界面处的悬挂键，因此在微电子和太阳能电池工业中被广泛用于提升器件性能?？瘴蝗毕菔前壹幕靖春咸?，研究其与氢的相互作用具有重要意义。本工作探讨了氢与室温下最稳定且占主导地位的空位缺陷——空位-氧复合体（VO）和双空位（V2）的相互作用。研究表明，VO和V2既能与单原子氢也能与双原子氢发生作用。这使得实验数据的解读更为复杂，并导致不同制备样品中呈现不同的反应路径。此外，某些重要的电子特性（尤其是n>1时V2Hn的电子能级）尚未通过实验确定。

    关键词： 硅、空位缺陷、空位-氧复合体、氢、双空位

    更新于2025-09-04 15:30:14

  • [IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 含空位缺陷的二维拓扑绝缘体纳米带中的载流子输运

    摘要： 我们建立了二维拓扑绝缘体（TI）纳米带的输运模型。为模拟量子输运过程，采用非平衡格林函数方法。通过该模型研究了晶格缺陷对载流子输运的影响，发现拓扑绝缘体的拓扑?；け咴堤艿挚垢叽?%的空位缺陷率。同时探究了两个解耦拓扑绝缘体纳米带中边缘态的隧穿效应。

    关键词： 纳米带、空位缺陷、非平衡格林函数、载流子输运、二维拓扑绝缘体

    更新于2025-09-04 15:30:14