掺铝氧化锡薄膜的电学、结构、光学及粘附特性：用于透明柔性薄膜晶体管应用

摘要： 通过反应共溅射沉积的掺铝SnOx薄膜特性被研究，以评估其在透明柔性电子器件制造中的应用潜力。与未掺杂薄膜相比，掺铝2.2原子%的SnOx薄膜晶体管（TFT）展现出更优的半导体特性：亚阈值摆幅降低至约0.68 V/dec、开关电流比提升至约8×10^7、阈值电压（Vth）接近0 V，且在空气中Vth不稳定性显著降低81%——这归因于铝的强氧化势能减少了氧空位缺陷。该掺铝SnOx薄膜保持非晶结晶度、约97%的光学透过率及对塑料基板超过0.7 kgf/mm的粘附强度，因而成为制备透明柔性TFT的优质半导体候选材料。