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oe1(光电查) - 科学论文

3 条数据
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  • 一维晶格上波函数演化问题中波包的积分特性

    摘要: 我们在紧束缚近似下研究了晶格上电荷转移的量子动力学,并解析计算了沿晶格传播的波包的积分特性。我们重点计算了平均位移和均方根位移。我们还得到了高阶矩的表达式,这些表达式以贝塞尔函数平方的级数形式呈现,这本身可能也具有独立的研究价值。

    关键词: 分布函数的矩,量子动力学,紧束缚近似

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 有损耗耦合腔光波导中的反向传播连续变量纠缠态

    摘要: 我们提出了一种基于耦合谐振腔光学波导的反向传播纠缠态集成源,该波导由从上方入射的经典脉冲源泵浦。我们从理论上研究了该耦合腔系统在存在本征损耗时连续变量纠缠态的产生与传播。通过紧束缚近似,我们推导出各腔内光子数以及不同腔对间光子关联方差的解析时变表达式,以此评估量子纠缠程度。同时给出了这些量的简易近似表达式,可用于指导此类系统的设计,并探讨了泵浦构型及系统物理特性如何影响光子统计量与量子关联程度。

    关键词: 量子纠缠、有损耗耦合腔光波导、连续变量纠缠态、反向传播、紧束缚近似

    更新于2025-09-11 14:15:04

  • 应变单壁碳纳米管的I-V特性与电导率

    摘要: 我们提出了一种研究应变单壁碳纳米管(SWCNTs)I-V特性和电导率的新方法。这些电子输运特性已在零温条件下,针对锯齿型、扶手椅型和手性SWCNTs在一维张力和扭转应变影响下进行了理论研究。采用紧束缚近似下的能谱解析表达式,通过Landauer-Büttiker形式体系计算了诱导电流和电导率。研究表明:未应变碳纳米管在初始电压值下的电导率会呈现离散值——半导体型SWCNTs为0,导体型SWCNTs为4(e2/h)。I-V特性中扭结的出现源于SWCNTs的离散电子能谱,其位置和数量会随应变过程改变。扶手椅型(5,5)CNT在扭转应变作用下电导率降至零,因此该导体型SWCNTs会在临界应变值转变为半导体型;而施加一维张力时其电导率完全不变。锯齿型(10,0)CNT表现出不同行为:一维张力和扭转应变分别导致其电导率快速下降和轻微降低。研究发现手性(10,9)CNT的电导率受所考察应变影响不显著。更有趣的是,我们采用紧束缚近似研究了手性(10,9)CNT在一维张力和扭转应变下的能带结构。

    关键词: I-V特性、机械应变、紧束缚近似、单壁碳纳米管、电导率

    更新于2025-09-10 09:29:36