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oe1(光电查) - 科学论文

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出版时间
  • 2020
研究主题
  • A. 柔性聚合物 A. 氧化锌 B. 紫外光探测器 E. 选择性金属化 E. 激光激活
应用领域
  • 光电信息材料与器件
机构单位
  • Sichuan University
5 条数据
?? 中文(中国)
  • 通过引入局域内建电场调控溶液法制备紫外光电探测器的电荷传输特性

    摘要: 氧化锌(ZnO)在紫外(UV)光电探测器领域的应用受限于较低响应度,这源于其大激子结合能导致的强带间直接复合,以及缺陷态引发的缺陷辅助电荷复合。本研究采用溶液法制备的ZnO:聚[90-十七烷基-2,7-咔唑-alt-5,5-(40,70-二-2-噻吩基-20,10,30-苯并噻二唑)](PCDTBT)复合光敏层来克服这些缺陷。通过掺杂PCDTBT可构建局域内建电场,有效促进无退火ZnO层中光生激子解离;同时暗态下形成的耗尽区降低了多数载流子浓度,从而减小了探测器暗电流。此外,PCDTBT的吸收光谱与ZnO的荧光光谱完美重叠,有利于通过荧光共振能量转移实现载流子复合能量的再利用。研究表明ZnO中的电荷复合损耗限制了光响应性能,并为提升紫外光电探测器的光探测能力指明了方向。

    关键词: 氧化锌,紫外光探测器,溶液法制备,聚[2,6-(4,4-双-(2-乙基己基)-4H-环戊二烯并[2,1-b;3,4-b']二噻吩)-alt-4,7-(2,1,3-苯并噻二唑)],内建电场

    更新于2025-11-14 15:27:09

  • 基于二维SnS?纳米片的高效紫外光电探测器

    摘要: 本文报道了一种基于SnS2纳米片的紫外光电探测器,该器件具有高灵敏度和高达120°C的热稳定性。采用简单且低成本的溶剂热法合成了近似六边形的SnS2纳米片。通过在SiO2/Si衬底上使用Ag作为接触材料,制备了简单的光电导体结构。所得器件具有良好的灵敏度(约400)、响应度(约5.5 A/W)、外量子效率(约1868%)、探测率(约1.72×1013 Jones)以及较短的响应时间(约2.2秒)。与许多利用复杂混合结构的紫外光电探测器相比,本器件的性能更优,无论是在附加滤光层还是纳米结构光敏材料方面。

    关键词: 光电导体、紫外光探测器、二硫化锡纳米片、二维材料

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 基于纳米氧化锌和激光诱导选择性金属化的柔性聚合物衬底紫外光电探测器

    摘要: 本研究通过激光直接成型(LDS)技术在柔性聚合物基底上制备了一种灵敏度高、响应速度快的纳米氧化锌(nano-ZnO)紫外(UV)光电探测器。研究设计了掺杂磷酸羟铜[Cu2(OH)PO4]激光敏化剂的聚苯乙烯-嵌段-聚(乙烯-共-丙烯)-嵌段-聚苯乙烯共聚物/聚丙烯(SEPS/PP)复合材料作为柔性LDS材料。X射线光电子能谱分析证实,SEPS/PP复合材料中的部分Cu2+被还原为Cu0(单质铜),可作为选择性金属化的催化剂。最终成功在聚合物基底上制备出图形清晰的叉指状铜电极。进一步通过旋涂法在叉指铜电极上制备纳米ZnO,从而构建了紫外光电探测器。光电流分析表明,该紫外光电探测器展现出优异的灵敏度和稳定性,其上升时间和衰减时间分别小于1秒和0.25秒。本研究为基于LDS技术在柔性聚合物材料上开发电子器件提供了指导方案。

    关键词: A. 柔性聚合物 A. 氧化锌 B. 紫外光探测器 E. 选择性金属化 E. 激光激活

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [IEEE 2019年第20届固态传感器、执行器与微系统国际会议暨第33届欧洲传感器会议(TRANSDUCERS & EUROSENSORS XXXIII) - 德国柏林(2019年6月23日至27日)] 2019年第20届固态传感器、执行器与微系统国际会议暨第33届欧洲传感器会议(TRANSDUCERS & EUROSENSORS XXXIII) - 基于自掺杂TiO?纳米管阵列的高性能自供电紫外光电探测器

    摘要: 本文提出了一种高性能自供电紫外(UV)光探测器,该探测器采用基于经济环保的黑色二氧化钛纳米管阵列(BTNAs)和多硫化物(S2-/Sx2-)电解质的电化学微孔通道阵列。通过对TiO2进行自掺杂,BTNAs中氧空位和Ti3+缺陷的增加提升了紫外光生载流子的浓度和寿命,有效增强了载流子传输和多激子效应,从而使基于电化学微孔通道阵列的自供电紫外光探测器展现出约22 mA/W的高光电响应度和上升/衰减时间约4毫秒的高速光响应特性。

    关键词: 二氧化钛纳米管阵列、自供电传感器、电化学传感器、紫外光探测器

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • 无催化剂生长Zn2GeO4纳米线网络实现高性能免转移日盲深紫外探测

    摘要: 日盲深紫外(DUV)光电探测器因其广泛的军事和民用应用而备受关注。三元氧化物Zn2GeO4具有宽禁带(Eg=4.69 eV),是理想材料。本研究在SiO2/Si衬底上制备了基于三元Zn2GeO4纳米线(NW)网络的DUV光电探测器。通过反应离子刻蚀SiO2/Si晶圆来生长NW网络,以避免高温化学气相沉积法合成Zn2GeO4 NW网络时金催化剂的污染。基于Zn2GeO4 NW的光电探测器展现出快速响应和恢复特性,这归因于NW网络独特的交叉结势垒主导的导电机制。结果表明,这种三元氧化物基NW网络是构建高性能纳米级日盲光电探测器的理想单元。

    关键词: Zn2GeO4纳米线,紫外光探测器,无催化剂

    更新于2025-09-10 09:29:36