采用纳米压印技术制造的阵列化电解质-绝缘体-半导体pH传感器

摘要： 本研究聚焦于采用纳米压印技术(NIL)与CMOS工艺集成制造的阵列化电解质-绝缘体-半导体(EIS) pH传感器的传感特性。通过NIL制备了线状与方形状的阵列图案（尺寸约200-400纳米，宽间距比约1/1-1/2），继而完成EIS传感器制作。利用原子力显微镜(AFM)和扫描电子显微镜(SEM)对图案进行了表征。结果表明：相较于单一结构传感器，具有阵列化图案的传感器均展现出更高的灵敏度、更低的迟滞效应及漂移特性。研究还探讨了阵列图案（方形或线状）及图案密度对传感区域的影响。该方法可为未来高性能生化传感应用提供器件制造方案。