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[2018年IEEE第七届世界光伏能源转换大会(WCPEC)(第45届IEEE光伏专家会议、第28届光伏科学与工程会议及第34届欧洲光伏专家会议联合会议)- 美国夏威夷威科洛亚村(2018年6月10日-15日)] 2018年IEEE第七届世界光伏能源转换大会(WCPEC)(第45届IEEE光伏专家会议、第28届光伏科学与工程会议及第34届欧洲光伏专家会议联合会议)- 氮化镓/硅纳米异质结构阵列器件的光电特性
摘要: 采用化学气相沉积(CVD)法,以硅纳米多孔柱阵列(Si-NPA)功能衬底合成了氮化镓/硅纳米异质结构阵列。制备了n型氮化镓纳米柱/p型硅纳米晶纳米异质结阵列太阳能电池,其中氮化镓纳米柱沿[0001]晶向生长。该器件在300-1200 nm波长范围内平均积分反射率约为4.79%。该太阳能电池开路电压(Voc)为0.82 V,短路电流密度(Jsc)为23.21 mA/cm2,填充因子(FF)为38.3%,最大光电转换效率达7.29%。该研究为光伏领域大规模制备纳米异质结提供了新思路。
关键词: 太阳能电池,氮化镓(GaN),纳米异质结构阵列,硅纳米多孔柱阵列(Si-NPA)
更新于2025-09-11 14:15:04