利用对向靶直流溅射法制备的p型硅/本征硅/n型纳米晶FeSi?异质结的光伏特性与串联电阻

摘要： 通过采用相对靶直流溅射法（压力为1.33×10?1 Pa）制备了p型硅/本征硅/n型纳米晶二硅化铁异质结，并研究了其光伏特性。该器件表现出较大的漏电流和较低的能量转换效率（0.62%）。运用Nicollian-Brews方法测得零偏压下的串联电阻值：2 MHz时为7.40 Ω，50 kHz时为7.57 Ω，与Norde方法估算结果一致。采用Hill-Coleman方法测得界面态密度：50 kHz时为3.15×101? cm?2 eV?1，2 MHz时为8.93×1013 cm?2 eV?1。结果表明结界面存在串联电阻和界面态密度，这可能是导致该异质结光伏性能劣化的潜在原因。