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超声辅助合成CsPbBr?和Cs?PbBr?钙钛矿纳米晶体及其可逆转变
摘要： 我们展示了一种无需极性溶剂的超声辅助合成方法，用于制备CsPbBr3和Cs4PbBr6钙钛矿纳米晶（PNCs）及其可逆相变。所制备的CsPbBr3 PNCs和Cs4PbBr6 PNCs因其形貌、尺寸和结构的差异而展现出不同的光学特性。通过调节超声功率、辐照时间及振子高度，可调控CsPbBr3 PNCs的光致发光（PL）发射峰与量子产率（QY）。优化后的CsPbBr3 PNCs具有优异稳定性，其PL QY最高可达85%。此外，通过改变油胺（OAm）和水的用量可实现CsPbBr3 PNCs与Cs4PbBr6 PNCs之间的相转变。我们研究了这两种PNCs相变过程及其形貌变化的机理，涉及离子平衡、各向异性生长动力学及溴化铯剥离过程。
关键词： 超声处理、无极性溶剂、CsPbBr3 纳米晶、Cs4PbBr6 纳米晶、可逆转变
更新于2025-11-19 16:46:39
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纳米晶Eu2?掺杂及RE3?(Nd3?, Dy3?)共掺杂Ba?Al??O??材料用于紫外LED的合成与光学研究
摘要： 通过燃烧技术在600°C下制备了用于紫外发光二极管（UV-LEDs）的绿色发光Ba4Al14O25:Eu2+及Ba4Al14O25:Eu2+,RE3+（RE3+ = Nd3+, Dy3+）荧光粉。所得样品在还原气氛（95%氮气和5%氢气）下于管式炉中经1150°C（2小时）和1350°C（6小时）重新加热。通过记录光致发光（PL）光谱考察温度及共掺杂剂对材料发光性能的影响。在362 nm激发下，这些荧光粉的PL光谱因Eu2+的4f65d1→4f7自旋允许跃迁在480-520 nm处呈现强发射带。Nd3+和Dy3+离子作为共掺杂剂的存在提高了材料的发光强度和余辉特性。衍射分析证实合成了具有Pmma对称性的正交晶系结构。样品的结晶度在更高温度下增强。透射电子显微镜（TEM）图像显示制备的材料呈近球形纳米尺度。傅里叶变换红外（FTIR）光谱支持了材料的结构和化学键合特征。
关键词： 纳米晶、Ba4Al14O25、发光、透射电子显微镜、紫外发光二极管、余辉
更新于2025-09-23 15:21:01
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球磨掺铜氧化锌纳米晶的室温铁磁性：实验与基于第一性原理的DFT研究
摘要： 报道了关于球磨Zn0.95Cu0.05O纳米晶室温铁磁性的实验与理论研究。X射线衍射分析表明主要晶相为六方纤锌矿结构，并存在由Cu和CuO引起的微弱峰。Rietveld精修显示随着球磨时间增加，晶粒尺寸减小而应变增强。SQUID磁测量揭示球磨样品具有显著的室温铁磁有序性。采用束缚磁极化子模型解释了该铁磁有序的物理起源?；诘谝恍栽淼睦砺奂扑阌糜谘芯緾u掺杂及锌/氧空位对Zn1?xCuxO电子结构和磁性能的影响，发现Cu掺杂会诱导磁性，且引入锌空位时磁矩会增大。
关键词： 室温铁磁性、球磨掺铜氧化锌、磁性能、纳米晶、第一性原理DFT
更新于2025-09-19 17:13:59
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通过快速热退火在硅衬底上溅射沉积的Ge/Sn/Ge层制备Ge1?xSnx合金薄膜
摘要： 本工作展示了通过快速热退火处理Ge/Sn/Ge多层膜形成纳米晶Ge1?xSnx合金。该多层膜采用磁控溅射法沉积于硅衬底上，随后在300℃、350℃、400℃和450℃温度下进行10秒快速热退火。研究了热退火对合成Ge1?xSnx合金形貌、结构及光学特性的影响。高分辨率X射线衍射(HR-XRD)测量显示(111)取向的纳米晶Ge1?xSnx形成。拉曼结果表明随着退火温度升高，Ge-Ge振动声子强度增强，证实退火温度提升可改善薄膜结晶质量。实验证明在400℃低温下即发生Ge-Sn固相混合形成Ge1?xSnx合金。此外，制备的Ge1?xSnx金属-半导体-金属(MSM)光电探测器光谱光响应度显示其波长延伸至近红外区域(820 nm)。
关键词： 拉曼光谱、锗锡、薄膜、溅射、半导体、纳米晶、X射线衍射、扫描电子显微镜
更新于2025-09-10 09:29:36
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纳米晶CdO的结构、光学和电学性质改性：烧结温度的作用
摘要： 本报告采用基于醋酸盐前驱体的低成本改性溶胶-凝胶技术合成纳米晶氧化镉(CdO)。对不同温度烧结的最终产物进行了结构、光学及电学性能研究。本研究报道了通过经济型溶胶-凝胶法制备的纳米晶氧化镉(CdO)烧结温度依赖性的结构、光学和电学特性。通过X射线衍射(XRD)分析CdO材料的结构特性，结果显示样品为结晶相且在测量范围内未检测到杂质。采用谢乐公式计算的晶粒尺寸(CS)处于纳米级范围(<100 nm)，并随烧结温度升高而增大。利用XRD图谱的威廉姆-霍尔(W-H)曲线估算了所有CdO纳米晶的平均晶粒尺寸。此外，通过透射电子显微镜(TEM)图像观察样品的结晶度和颗粒生长情况。采用紫外-可见(UV-Vis)吸收光谱研究纳米晶CdO的光学特性，发现低温烧结的纳米晶CdO具有较高吸收率。根据陶克定律计算纳米晶CdO的带隙宽度，其值随烧结温度升高而增大。通过介电常数和交流电导率测量研究样品的电学特性，观察到介电常数随频率和烧结温度升高而降低。详细讨论了交流电导率随光照和烧结温度的变化规律。
关键词： 纳米晶、光电导、溶胶-凝胶合成、烧结温度
更新于2025-09-09 09:28:46