修车大队一品楼qm论坛51一品茶楼论坛,栖凤楼品茶全国楼凤app软件 ,栖凤阁全国论坛入口,广州百花丛bhc论坛杭州百花坊妃子阁

oe1(光电查) - 科学论文

131 条数据
?? 中文（中国） ▾

  • 自催化GaAs纳米线角度稳定性X射线衍射分析及其在太阳能光捕获与发光器件中的未来应用

    摘要： 半导体纳米线是一类在太阳能电池和发光器件应用中日益受到关注的新兴材料。实现可重复的加工条件对其未来大规模生产至关重要。本研究采用时间分辨原位微区X射线衍射（XRD）与扫描电子显微镜联用技术，探究了单个外延生长GaAs纳米线在分子束外延（MBE）加工条件下的稳定性。我们提出的微区XRD方法是一种无损表征技术，可在MBE加工条件下检测不同尺寸、晶向及结构的纳米对象。实验通过自催化MBE工艺在预图案化Si(111)衬底上生长纳米线。当在610°C条件下不供应源材料或仅供应砷源时，观察到纳米线晶面发生蒸发但未形成镓液滴。此外，原本垂直于衬底生长的纳米线会出现角度失稳现象——逐渐倾斜直至平躺在衬底表面。在倒伏前，微区XRD数据证实纳米线存在振动/弯曲行为。值得注意的是，当恢复包含镓砷双源的原始生长条件时，这种振动/弯曲现象被抑制且倾斜状态可逆转。本研究成果还为通过消除必然伴随纳米线生长的寄生生长物，实现自催化GaAs纳米线的定向工程化生长提供了新思路。

    关键词： 时间分辨、原位、机械稳定性、微X射线衍射、纳米线、退火、砷化镓

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 纳米结构在宽场、无标记超分辨率显微镜中的应用

    摘要： 超分辨率成像技术能够突破衍射极限解析细节，在生物医学、纳米材料科学和光电集成等众多科研与应用领域备受期待。迄今为止，学界已提出多种实现方案，其中宽场无标记超分辨显微技术因其对多样本类型的良好适用性、大视场(FOV)范围及高成像速度而不可或缺。近年来，纳米结构通过多样化的工作机制与构型设计，为宽场无标记亚衍射显微技术作出了关键贡献。本综述重点总结了超表面超透镜（基于双曲色散）、微球"纳米射流"结构以及基于空间频移效应的纳米线环照明显微技术等纳米结构在宽场无标记超分辨显微领域的最新应用，并探讨了当前技术的瓶颈问题及可能的解决方案。

    关键词： 空间分辨率、纳米线、超材料、光学显微镜

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 六方硅纳米线中掺杂剂的优先定位、稳定性及分凝现象

    摘要： 我们通过第一性原理电子结构计算研究了六方金刚石硅（一种无需极端压力条件即可在纳米线几何结构中合成的硅多型体）中常见p型和n型掺杂剂的物理特性，并将结果与熟知的立方金刚石纳米线案例进行对比。研究发现：i) 如近期实验所示，在较大直径（超出量子限域范围）时，由于六方相具有更强的三配位特性，p型掺杂剂相对立方相更具倾向性，而n型掺杂剂对基质晶格多型体基本无选择性；ii) 在超薄纳米线中，由于对称性降低和结构弛豫自由度增大，排序发生逆转，两类掺杂剂均略微偏好占据立方晶格位点；iii) 形成能差异导致（尤其在较厚纳米线中）不同多型体间浓度差异更为显著，这对立方-六方同质结具有重要影响；iv) 超小直径纳米线无论晶相如何均呈现p型掺杂剂明显的表面偏聚倾向。这些发现阐明了晶体相在纳米尺度掺杂机制中的作用，对近期关于IV族纳米线多型体的实验研究具有重要潜在价值。

    关键词： 密度泛函理论、纳米线、形成能、掺杂剂、2H-硅、六方金刚石硅

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • [2018年IEEE国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD） - 美国德克萨斯州奥斯汀市（2018.9.24-2018.9.26）] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议（SISPAD）——模拟视角：锗全环栅CMOS器件的潜力与局限

    摘要： 已研究了截面为6×6纳米2的<110>取向n/p型锗纳米线晶体管(NWTs)的电学特性。分别采用多子带玻尔兹曼输运方程和弹道量子输运求解器模拟了ION性能与亚阈值摆幅。由于高度各向异性的Λ能谷，<110>取向n型锗NWTs的性能对界面层势垒高度敏感?；诮羰咳砺鄣奈认喙豮·p参数被用于处理p型锗NWTs的强限制效应。与硅基NWTs相比，在28纳米沟道长度下，n/p型锗NWTs的本征ION电流均高出两倍。随着沟道长度缩减，这种ION优势可持续至隧穿效应出现并导致亚阈值摆幅劣化为止。

    关键词： 源-漏隧穿、锗、弹道比、纳米线、CMOS场效应晶体管、界面层

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 电晕辅助碳化硅上氧化镓纳米线生长

    摘要： 本文报道了利用电晕放电辅助在碳化硅衬底上实现氧化镓纳米线的汽-液-固生长。对于3C-SiC(111)/Si(111) Si面衬底，电晕放电使金催化剂的成核效率从60%提升至98%；对于6H-SiC(0001)衬底则从15%提升至80%。该工艺不影响生长模式与晶体结构。氧化镓生长始于形成[-311]取向的横向外延台阶状成核区，金催化剂颗粒悬浮于顶部。随着生长时间延长，生长沿更快的[010]方向进行，最终形成与衬底表面呈51°倾角的纳米线。在硅和蓝宝石衬底上，氧化镓纳米线的成核与生长受到抑制。

    关键词： B2. 碳化硅，B1. 氧化镓，A1. 纳米线，A1. 电晕放电，A3. 气液固生长法，A3. 气相外延法

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 纺锤形半导体纳米线中的纳米级聚光灯

    摘要： 理论上，无论纳米线多么纤细，都能以倏逝场形式传输光。但实际中，当纳米线明显薄于~λ/2时，复杂耗散导致的低传播效率会使光传输难以实现。因此该尺度下的纳米线光子学研究受到限制。本研究在直径小于70纳米的超细纺锤形纳米线中实现了光传输，并形成了纳米级聚光灯效应。该纳米线在横向尺寸小至约53纳米处输出最大发射光强。时域有限差分(FDTD)模拟表明，尖端附近的尺寸梯度增加导致传播光在横向特征点产生最大泄漏，该现象精确由纳米线固有特性决定。此外，基于此类纳米线中波长依赖的光传输行为，还观测并验证了光谱分离现象。这些成果有助于合理设计具有超高分辨率（远超所谓亚波长水平）的纳米级近场光源、光电及光学生物探针。

    关键词： 半导体、纳米级光、光波导、纳米线、光子特性

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 封装于氮掺杂碳纳米复合材料中的钴/钼磷化物与氧化物异质结构用于碱性介质中的全水分解

    摘要： 设计和寻找对析氢反应（HER）和析氧反应（OER）均具有高活性的低成本电催化剂，对于实现水分解作为未来可再生能源具有重要意义。本文通过热分解和磷化包裹在氮掺杂碳中的CoMoO4?0.9H2O纳米线，合成了一种新型氮掺杂碳壳包覆的CoP(MoP)-CoMoO3异质结构（CoP(MoP)-CoMoO3@CN）。在碱性介质中，该CoP(MoP)-CoMoO3@CN纳米复合材料在10 mA?cm?2电流密度下表现出优异的电催化活性，其OER和HER过电位分别低至296 mV和198 mV。更重要的是，当将该材料同时作为阴极和阳极用于整体水分解时，仅需1.55 V即可达到10 mA?cm?2的电流密度。这种优异性能可能源于CoP(MoP)-CoMoO3的高活性以及外部介孔氮碳壳的良好导电性，使得CoP(MoP)-CoMoO3@CN纳米线成为水分解领域贵金属基催化剂的有力替代品。

    关键词： 金属磷化物、全水分解、协同效应、纳米线、氮掺杂碳

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • III-Sb纳米线的最新进展：从合成到应用

    摘要： III-V族半导体因其优异特性，成为下一代电子与光电子器件的理想候选材料。其纳米线形态进一步提供了独特的几何结构与量子限域效应，有利于多种应用场景。在众多III-V族半导体中，III-锑化物纳米线因其窄直接带隙和高载流子迁移率而备受关注。然而受纳米线制备难度限制，该类材料及其应用发展始终滞后于其他III-V族半导体。近年来，随着制备技术的进步与机理认知的深化，基于III-锑化物纳米线的新型高性能电子/光电器件相继问世。本综述重点探讨不同技术路线对III-锑化物纳米线合成的发展——包括晶体结构与组分的精细调控策略，以及异质结构构建方法。在此基础上，系统梳理了该材料在电子与光电子领域的最新应用进展。这些讨论将为新一代器件用III-锑化物纳米线的设计提供重要指导。

    关键词： 合成、应用、纳米线、III族锑化物

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • [IEEE 2018年新兴趋势与工程技术创新国际会议（ICETIETR）- 埃纳库拉姆（2018.7.11-2018.7.13）] 2018年新兴趋势与工程技术创新国际会议（ICETIETR）- 基于纳米线的金属氧化物氨气检测传感器设计、仿真与优化

    摘要： 大气中有毒气体含量正急剧上升，对所有生物健康造成不利影响。氨气、氮氧化物等多种有毒气体即使微量存在也必须被检测和消除?；诮鹗粞趸锏拇衅骷际跻蚱渲疃嘤攀票甘芮囗?。本文提出一种利用二氧化钛纳米线气体传感器检测氨气的方法，其工作原理是气体在传感物质表面的吸附作用——该过程需通过微加热板提供的高温环境才能实现。研究旨在提升传感器灵敏度并降低功耗，通过气体与氧化物相互作用导致的表面电阻变化来测算传感器周围环境中的气体浓度。采用COMSOL多物理场工具对传感器性能进行分析。

    关键词： 金属氧化物，COMSOL，纳米线，微热板，有毒气体

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • GaN纳米线全包围栅极场效应晶体管结构表面与核心的陷阱效应及1/f噪声效应

    摘要： 我们通过电容、电导和噪声测量，研究了采用自上而下工艺制备的三角形一维（1D）氮化镓纳米线全包围栅场效应晶体管（GAA FET）表面及核心区域的陷阱行为。此类低维器件中的表面陷阱对器件性能起决定性作用。估算的表面陷阱密度随频率升高快速下降，从1 kHz时的6.07×1012 cm?2·eV?1降至1 MHz时的1.90×1011 cm?2·eV?1。噪声结果表明：功率谱密度随栅压增大而升高，在所有频率下积累区（Vgs>Vth=3.4V）均呈现明显的1/f噪声特征；在表面耗尽区（1.5V<Vgs<Vth），低频段由1/f噪声主导，当频率超过~5 kHz时则表现为1/f2噪声——该1/f2特性源于额外的产生-复合（G-R）噪声，主要来自纳米线表面耗尽区深陷阱的电子俘获/释放过程。当器件工作在深亚阈值区（Vgs<1.5V）时，1/f2噪声的截止频率进一步下移至102-103 Hz量级，此时深陷阱的电子俘获/释放过程扩展至完全耗尽的纳米线核心区域，整个纳米线沟道均以G-R噪声为主导。

    关键词： 环绕栅极场效应晶体管（FET）、陷阱、纳米线、氮化镓、1/f噪声

    更新于2025-09-23 15:22:29