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通过金属靶材高频磁控溅射获得稳定的二氧化锆
摘要： 研究了钇浓度对通过金属靶高频磁控溅射制备涂层结构的影响。讨论了在纯氩和混合（Ar+O2）反应介质中沉积涂层的结果。研究表明，在纯氩中溅射靶材时，会形成基于锆的具有扩展均匀区（最高达16 at%钇）的非平衡体心立方固溶体。在反应性涂层沉积过程中，根据钇浓度不同会生成立方相或四方相二氧化锆。当钇浓度为8 at%时形成四方结构。研究发现，所得四方相二氧化锆在空气中经1100°C热处理11小时后，其结构和形貌均保持热稳定性。
关键词： 二氧化锆、磁控溅射、纳米结构薄膜、复合材料、涂层
更新于2025-11-14 15:13:28
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浸涂法制备的纤维素纳米晶体线性双折射薄膜
摘要： 通过从水解滤纸的水悬浮液中在玻璃基底上浸涂制备纤维素纳米晶体（CNC）透明薄膜。薄膜沉积过程中产生的拖曳力促使棒状CNC优先定向排列。厚度为2.8和6.0微米的薄膜表现出延迟效应，这可通过将其置于线性偏振光源与消光构型下的线性偏振片之间得到证实。采用正入射条件下随样品旋转的透射穆勒矩阵光谱椭偏测量法来表征偏振特性。对穆勒矩阵的差分分解显示线性双折射是唯一的偏振参数。这些结果表明通过简单可控的方法获得CNC双折射薄膜具有良好前景。
关键词： 穆勒矩阵、双折射、纳米晶纤维素、纳米结构薄膜
更新于2025-09-23 15:22:29
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背景气体和压力对脉冲激光沉积掺铝氧化锌的影响
摘要： 在室温下进行355纳米激光沉积掺铝氧化锌时，使用压力范围为~10?3帕至133.3帕的背景气体（O?、He或Ar）。通过光学发射光谱（OES）和飞行时间（TOF）测量研究了这些气体及压力对等离子体形成的影响。OES结果显示：O?和Ar中粒子的发射强度在~5帕以上先略微下降后呈指数增长，其中Ar的发射强度最高，O?次之，而He的发射强度较低且对背景气压依赖性弱。TOF测量表明：在约5-10帕范围内，O?和Ar压力增加时离子速度降低，He中的离子速度最高，O?与Ar中的离子速度相近。在2.6帕不同气体中沉积的薄膜样品呈非晶态，而在133.3帕沉积的样品为晶态，其形貌和光学性质随气体类型呈现差异——O?沉积样品具有高透光性，He和Ar沉积样品则含有纳米至微米级结构且透光率<50%。此外，X射线衍射检测到Zn晶粒。
关键词： 脉冲激光沉积、背景气体、掺铝氧化锌、压力、激光等离子体、纳米结构薄膜
更新于2025-09-23 15:21:01
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纳米结构PLD AlN薄膜的合成：XRD与表面增强拉曼散射研究
摘要： 采用脉冲激光沉积法，在真空和氮气环境中以3 Hz或10 Hz的激光重复频率制备了硅基氮化铝薄膜。X射线衍射分析和透射电镜成像显示这些薄膜具有纳米结构特征。真空沉积的薄膜为含六方相氮化铝的柱状多晶结构，而氮气环境沉积的薄膜主要为含纳米晶粒的非晶态。表面增强拉曼光谱中Al-N声子模式因薄膜应力发生显著偏移，仅低压沉积样品观察到与表面氧化相关的Al-O声子模式。
关键词： 微观结构、纳米结构薄膜、透射电子显微镜、脉冲激光沉积、氮化铝、拉曼光谱、X射线衍射分析
更新于2025-09-22 11:56:24
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纳米氧钒2,3-萘酞菁/n-Si（有机/无机）太阳能电池的电学与光电性能：温度依赖性
摘要： 通过真空沉积法将钒?；?,3-萘酞菁(VONc)化合物沉积在n型单晶硅上制备了VONc/n-Si异质结。X射线衍射图谱和扫描电子显微镜图像分析表明沉积的VONc薄膜具有纳米结构特性。低电压下电流密度-电压特性的温度依赖性证实，多隧道效应机制是暗态正向偏压下的主导电流机制。当正向偏压较高时(0.4<V<2 V)，导电机制表现为单陷阱能级主导的空间电荷限制电流。电容-电压特性表明该结具有突变异质结特征，室温下内建电势值估算为0.67 eV。在100 mW/cm2光照和室温条件下，开路电压、短路电流、填充因子和光电转换效率的实测值分别为0.70 V、11.30 mA/cm2、0.394和3.12%。这些结果表明，与其他有机/无机异质结相比，VONc/n-Si异质结具有显著优异的光伏特性。
关键词： 光伏，纳米结构薄膜，异质结，有机材料
更新于2025-09-19 17:13:59
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脉冲激光沉积法制备PbI2纳米结构薄膜的生长条件优化：迈向高光电灵敏度的PbI2/CNTs/Si光电探测器
摘要： 采用激光沉积技术在45℃衬底温度下成功制备了纳米结构PbI2薄膜。本研究通过寻找最佳激光能量密度，尝试改善并控制PbI2薄膜及p-PbI2/MWCNTs/p-Si光电探测器的晶体生长。X射线衍射(XRD)结果表明：所制备的PbI2薄膜为沿(001)晶向生长的多晶六方结构，且随激光能量密度增加薄膜结晶度下降。扫描电子显微镜(SEM)显示颗粒尺寸随激光能量密度增大而减小，其中3.9 J/cm2能量密度下沉积的薄膜致密且晶粒均匀分布。能谱分析(EDX)证实薄膜化学计量比受激光能量密度影响，3.9 J/cm2沉积的薄膜为化学计量比PbI2。光电灵敏度测试表明：未经退火处理的3.9 J/cm2制备的p-PbI2/MWCNTs/p-Si光电探测器在610 nm波长处获得高达0.4 A/W的响应度。
关键词： 光电探测器、纳米结构薄膜、碘化铅、脉冲激光沉积、激光能量密度
更新于2025-09-12 10:27:22