由p型超纳米晶金刚石薄膜和n型硅衬底构成的异质结二极管参数

摘要： 在本研究中，通过脉冲激光沉积法制备了由p型超纳米晶金刚石/氢化非晶碳复合膜（UNCD/a-C:H）与n型硅衬底构成的异质结。为通过热电子发射（TE）理论和Norde模型提取其结区参数，在300至60K的不同温度下测量了暗态电流密度-电压曲线。根据TE理论，300K和60K时的理想因子值分别为2.70和8.66，这表明在300K时除隧道效应外，结界面还存在显著的复合过程，而低温下隧道效应占主导地位。300K和60K时的势垒高度值分别为0.78eV和0.18eV，串联电阻（Rs）值分别为275.24Ω和78.66kΩ。低温下Rs的增大可能源于B掺杂UNCD/a-C:H膜中载流子浓度随温度降低而减少。