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oe1(光电查) - 科学论文

16 条数据
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  • InAs/InP纳米线量子点中的激子复合物

    摘要： 嵌入InP纳米线中的InAs量子点构成了基础研究及量子点应用的重要平台。值得注意的是，理解纳米线量子点的光谱特性在这两种应用中都至关重要。因此，本研究采用原子级理论分析了这些纳米结构中单激子(X)、双激子(XX)、三激子(XXX)以及正负带电三子(X?和X?)的光谱特征。我们重点研究了垂直与横向限域效应的作用，系统考察了不同高度和直径的量子点体系，发现高能态存在所导致的关联效应具有重要影响。研究发现激子结合能排序是InAs/InP纳米线量子点的特征属性（按数值从负到正排列）：X?、XX和X?，其中X?结合极强，XX结合较弱，而X?通常处于未结合状态。此外，我们确定了合金无序性（由元素互混引起）的关键作用——该效应在较大高度量子点及磷含量超过40%时尤为显著。特定情况下，合金化可能导致双激子解离，甚至逆转激子谱线排序。

    关键词： InAs/InP纳米线量子点、原子级理论、结合能、合金无序性、激子复合物

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 晕分子的相干关联光谱学研究

    摘要： 我们实现了将86Sr?二聚体X1Σ?g电子基态最弱束缚振动能级的两光子光缔合，并测得其结合能为Eb = ?83.00(7)(20) kHz。由于该结合能极小，这对应于低温下两个86Sr原子散射共振的晕态。结合对渐近至范德瓦尔斯势的极弱束缚态的普适理论，利用所测结合能确定了s波散射长度a = 810.6(3)(9) a?，该结果与先前通过质量标度法和其他锶同位素精密光谱学测得的a = 798(12) a?一致，但精度显著提高。对于中间态，我们采用亚稳态1S?-3P?势上的束缚能级。二聚体结合能对接近中间态束缚-束缚跃迁共振的光具有高度敏感性，这表明86Sr在光学操控原子相互作用及探测自然产生的埃菲莫夫态方面极具潜力。

    关键词： 散射长度、结合能、埃菲莫夫态、光缔合、晕分子、86锶

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • [2018年IEEE第八届纳米材料：应用与特性国际会议(NAP) - 乌克兰扎托卡(2018.9.9-2018.9.14)] 2018年IEEE第八届纳米材料：应用与特性国际会议(NAP) - CdSe/CdS/CdZnS量子点的时间分辨光致发光

    摘要： 我们证明，在时间分辨光致发光研究中，即使系统受到持续时间为数十皮秒量级的长激光脉冲激发，量子点中双激子的特征信号仍会显现。为解释测量结果，我们提出了一个精妙的物理论模型——该模型通过在速率方程中引入辅助源来实现。通过将这些方程描述系统整体辐射的解析解与实验结果进行拟合，从而确定这些辅助源的参数?；竦酶ㄖ床问?，我们就能分别测定激子和双激子辐射的时间依赖性，并由此确定激子与双激子发射带的光谱位置、谱线宽度以及双激子结合能。

    关键词： 量子点、光致发光、激子、速率方程、结合能、双激子

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 内建电场对InGaN/ZnSnN?量子阱结构中施主束缚能的影响

    摘要： 研究了InxGa1?xN/ZnSnN2量子阱结构中施主原子的束缚能，考虑了1s和2p±杂质态。通过自洽求解薛定谔方程和泊松方程，采用类氢波函数描述各杂质态。计算包含沿结构存在的本征电场引入的势能曲线能带弯曲效应。将束缚能与杂质态间跃迁能量表示为量子阱宽度、施主位置及铟组分的函数。计算中引入最高10T的外加磁场以计算塞曼分裂。最大跃迁能量约30meV（近7.3THz），出现在15?厚的In0.3Ga0.7N/ZnSnN2量子阱中。强本征电场使跃迁能量随阱宽减小而快速下降，且能量曲线呈现关于阱中心施主位置的高度非对称性。与体材料相比，量子阱结构中的跃迁能量增强近两倍。

    关键词： 结合能，ZnSnN2，杂质，量子阱，施主，GaN

    更新于2025-09-24 05:05:50

  • 静水压下GaN/AlxGa1?xN球形量子点中施主杂质的结合能与光电离截面

    摘要： 本文采用变分法理论研究了GaN/AlxGa1?xN量子点结构中施主杂质态的结合能与光致电离截面。通过数值计算分析了静水压作用下不同杂质位置处结合能与光致电离截面随核壳尺寸的变化规律。结果表明：对于GaN/AlxGa1?xN核壳量子点，其结合能随核尺寸增大在不同杂质位置均呈单调递减趋势；而倒置核壳量子点的结合能则随核尺寸增大呈现差异化变化趋势。但两种结构的结合能均随壳层尺寸增大单调递减。此外，当光子能量近似等于施主结合能时会出现光致电离截面峰值，该峰值在不同条件下会产生位移，且其峰值强度随核壳尺寸增大而增强。施加静水压时，结合能与光致电离截面峰值强度均随压力增大而提高。

    关键词： 静水压力，球形量子点，结合能，光电离截面

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 温度对圆柱形量子点（GaAs/GaAlAs）中磁供体结合能与抗磁磁化率的影响

    摘要： 本研究在有效质量近似下，探讨了温度对限制于GaAs/GaAlAs圆柱形量子点中浅施主磁束缚能和抗磁磁化率的影响。我们采用无限深势阱描述量子限制效应。结果表明：当温度或磁场增强时，(i)束缚能增大；(ii)抗磁磁化率的绝对值减小。该效应强烈依赖于圆柱形量子点的尺寸。

    关键词： 砷化镓/镓铝砷，温度效应，结合能，圆柱形量子点，抗磁磁化率，磁供体

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 用于高效全小分子有机太阳能电池的二氟代寡噻吩：氟取代位置异构效应对性能变化的影响

    摘要： 合成了三种含罗丹宁侧基并五噻吩结构的对称二氟代有机半导体（即D5T2F-P、D5T2F-S和D5T2F-T），并将其作为给体材料与小分子受体2,2'-((2Z,2'Z)-((4,4,9,9-四己基-4,9-二氢-s-茚并[1,2-b:5,6-b']二噻吩-2,7-二基)双(甲亚基))双(5,6-二氟-3-氧代-2,3-二氢-1H-茚-2,1-二亚基))二丙二腈（IDIC-4F）制备全小分子有机太阳能电池（ASM-OSCs）。给体分子共轭主链上氟原子（-F）的不同取代位置导致材料呈现各异的物理与光伏特性。三种异构体中，中心氟代的D5T2F-P表现出红移的吸收光谱、下移的最高占据分子轨道（HOMO）能级以及与IDIC-4F在共混膜中更优的相容性，这些特性共同带来卓越的器件性能。基于D5T2F-P:IDIC-4F的ASM-OSCs功率转换效率（PCE）高达9.36%，开路电压（VOC）为0.86 V，短路电流密度（JSC）为16.94 mA/cm2；而D5T2F-S（6.11%）和D5T2F-T（5.42%）的效率显著较低。相比之下，相同条件下制备的非氟代类似物DRCN5T基ASM-OSC性能较差（与IDIC-4F搭配时PCE为8.03%），证实主链氟代使PCE提升16%。据我们所知，9.36%的PCE是目前文献报道的寡聚噻吩基ASM-OSCs最高效率值之一。

    关键词： 有机太阳能电池、结合能、小分子给体、氟化、非富勒烯

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 电场对嵌入SiO2基质中的同心耦合量子环异质结构中直接激子和间接激子的影响

    摘要： 采用变分技术理论计算了SiO2基质中同心双量子环（CDQR）异质结构在外电场作用下的激子态。通过将CDQR约束在具有适当宽度的量子阱中（该阱宽作为量子环高度方向并施加电场），调节中心势垒宽度、外环宽度及载流子位置以探究直接激子与间接激子的局域化特性。确定了环尺寸与电场对内环激子（IRE）和外环激子（ORE）能态的影响。分析了电场导致的导带与价带倾斜对载流子形成的三角约束效应，并分别计算了对称与非对称量子环的顺磁磁化率（该参数可表征电子-空穴分离程度及子带间跃迁能）。通过改变量子环高度研究了其对激子顺磁磁化率的影响。

    关键词： 抗磁性磁化率、量子环、激子、结合能、电场

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 立方半导体量子点中的激子结合能

    摘要： 本文采用变分法研究了立方半导体纳米结构量子点中的激子结合能。结果表明，在尺寸为50 ?的立方量子点中，激子结合能将达到最大值。

    关键词： 变分法、结合能、激子、量子点

    更新于2025-09-12 10:27:22

  • 电场作用下抛物线形约束势圆柱量子点中的激子-声子特性

    摘要： 在存在与不存在受限纵向光学（LO）声子模式贡献的情况下，计算了电场作用下圆柱形量子点（QD）中激子的混合限制势效应。采用有效质量近似下的变分方法，通过试探波函数的三个变分参数来描述激子-声子相互作用。针对沿量子点生长方向施加电场时，数值计算了抛物线型（轴向）和方形（横向）有限限制势下激子的基态结合能，并分别研究了包含与不包含LO声子贡献的体系。详细分析了外加电场与抛物线限制势对基态结合能、极化子修正及斯塔克位移的联合效应。结果表明：无论是否考虑LO声子相互作用（尤其对于较宽厚度的量子点），电场均会显著降低结合能；LO声子贡献会使结合能增大并减小斯塔克位移能；数值结果还显示斯塔克位移对量子点高度、电场强度及LO声子贡献具有强依赖性。

    关键词： 抛物线势、电场、结合能、激子-声学声子、斯塔克位移

    更新于2025-09-12 10:27:22