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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 《AIP会议论文集》[作者 第三届汽车创新与绿色能源汽车国际会议论文集：AIGEV 2018——马来西亚关丹（2018年7月25-26日）] - 作为太阳能电池有前途的材料和缓冲层的In2S3薄膜的化学浴沉积

    摘要： 铜(I)和铟薄膜通过化学浴沉积法(CBD)获得。采用X射线光电子能谱(XPS)重点研究了它们的元素组成和微观结构。通过扫描电子显微镜(SEM)测定了薄膜表面微观结构随反应浴温度和成分的变化情况。

    关键词： 化学浴沉积、太阳能电池、薄膜、缓冲层、硫化铟（In?S?）

    更新于2025-11-21 11:20:48

  • 用于光谱分光应用的三结太阳能电池中间布拉格反射器设计

    摘要： 我们研究了分布式布拉格反射器（DBR）在三结太阳能电池（TJSC）中用于光谱分光光伏的应用?？⒘司哂兄屑銬BR的晶格匹配（LM）GaInP/GaInAs/Ge TJSC的光学模型，与实测反射率高度吻合。通过调整DBR的层数、成分和厚度以拓宽反射带，我们证明DBR能为LM TJSC向硅电池的光谱分光提供合适的900-1050 nm反射率，从而实现更高效的四结接收器。为提高实用性和成本效益，我们提出变质（MM）TJSC中的缓冲层可额外作为光谱分光应用的DBR。我们提出了几种DBR设计方案，以实现从MM TJSC到硅电池的合适光谱分光反射带，同样获得更高效的四结接收器。最后，我们证明与离散介质滤光片相比，这种中间DBR光谱分光方法的优势在于大幅降低入射角依赖性。

    关键词： 三结太阳能电池、光谱分光、缓冲层、分布式布拉格反射器

    更新于2025-10-22 19:40:53

  • [2018年IEEE第七届世界光伏能源转换大会(WCPEC)（第45届IEEE光伏专家会议、第28届国际光伏科学与技术会议及第34届欧洲光伏专家会议联合会议）- 美国夏威夷州威科洛亚村（2018年6月10日-15日）] 2018年IEEE第七届世界光伏能源转换大会(WCPEC)（第45届IEEE光伏专家会议、第28届国际光伏科学与技术会议及第34届欧洲光伏专家会议联合会议）- 用于光谱分裂应用的GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池中布拉格反射器的设计

    摘要： 研究了中间分布式布拉格反射器（DBR）的应用。针对商用晶格匹配（LM）和应变补偿（MM）GaInP/GaInAs/Ge三结太阳能电池（TJSC），建立了与实测反射率高度吻合的光学模型。将合适的DBR结构集成到TJSC中，有望为从LM和MM TJSC到硅电池的光谱分光提供所需的红外反射。研究表明，相较于离散介质滤光片，采用中间DBR实现光谱分光的方法具有显著降低入射角依赖性的优势。

    关键词： 光谱分裂、缓冲层、分布式布拉格反射器、三结太阳能电池

    更新于2025-10-22 19:40:53

  • 六方氮化硼缓冲层上SiO2衬底生长石墨烯

    摘要： 通过在绝缘体衬底上插入六方氮化硼（h-BN）缓冲层实现石墨烯的一步生长工艺，有望因缓解石墨烯与绝缘体间的界面相互作用并提升衬底平整度，显著改善石墨烯器件的电子传输性能。本研究无需机械转移步骤，通过直接化学气相沉积（CVD）成功制备了石墨烯/h-BN/SiO?异质结构。研究发现h-BN能促进SiO?上的石墨烯生长，而无h-BN层时石墨烯生长极其困难。采用微拉曼光谱和近边X射线吸收精细结构（NEXAFS）光谱分析了石墨烯与h-BN的电子结构。B和N的K边NEXAFS显示h-BN/SiO?和石墨烯/h-BN/SiO?中均存在化学式为BN???O?（x=1,2,3）的替代氧杂质。石墨烯/h-BN/SiO?中的氧替代杂质数量是h-BN/SiO?的两倍，推测源于石墨烯生长过程中与SiO?及甲醇所含氧的反应。石墨烯/h-BN/SiO?中石墨烯与h-BN的界面相互作用较弱。本研究表明CVD生长的h-BN层可作为优质缓冲层，既支持直接在其上生长石墨烯，又能减少与绝缘体衬底的相互作用。

    关键词： 近边X射线吸收精细结构、六方氮化硼、化学气相沉积、缓冲层、石墨烯

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 砷化氢(AsH3)的贡献：预流动和V/III比对异质外延生长GaAs/Ge的影响

    摘要： 我们报道了砷化氢(AsH3)对金属有机气相外延(MOVPE)生长的GaAs/Ge异质结构在形貌、结构、光学及晶体质量方面的影响。通过在锗衬底上预通AsH3，使砷原子作为首层原子附着于锗衬底表面。此外，还分析了在砷化锗衬底上生长的低温GaAs缓冲层的V/III比效应，该处理可减少外延层与锗衬底界面处的反相畴(APBs)。研究表明，即便采用错切锗衬底并通过两步生长法获得双原子台阶，AsH3预通时长与GaAs缓冲层V/III比的最优参数仍对反相畴效应具有决定性影响。数据显示：未进行AsH3预通时GaAs外延层表面粗糙度增加，而适当延长预通时间可使表面呈现光学平滑状态；但若预通时间过长，尽管表面形貌不变，生长过程中可能产生的空位会导致结构和晶体质量恶化。GaAs缓冲层的V/III比也呈现类似规律——当V/III比达到最优值时，高分辨率X射线衍射的半高宽显著降低且光致发光峰强度达到峰值。

    关键词： 锗，缓冲层，砷化氢，金属有机气相外延，砷化镓

    更新于2025-09-23 15:23:52

  • 具有印刷阴极的聚合物发光显示器

    摘要： 通过结合精密阴极沉积与多功能缓冲层制备技术，实现了具有印刷阴极的高分辨率无源矩阵聚合物发光显示器。与其他印刷方法及材料不同，采用喷墨打印导电纳米颗粒作为阴极，可在不施加任何有机层机械压力的情况下，形成高分辨率阴极图案并确保细阴极线沿线的优异连续性。印刷阴极与有机活性层之间的缓冲层由水/醇溶性聚合物聚[9,9-双(3'-(N,N-二甲基氨基)丙基)-2,7-芴-alt-2,7-(9,9-二辛基芴)](PFNR2)与可固化环氧胶粘剂混合制成，兼具溶剂阻隔、电子注入功能，并与阴极墨水保持适当亲和性。该交联缓冲层在提升器件性能（尤其显著抑制漏电流）的同时，还引发了"线性η-J曲线"这一新颖现象，可推导出具有实际意义的有趣结果。内容格式为96×3×64的红、绿、蓝单色及全彩聚合物发光显示器均无死像素或断线现象。通过优化的固化步骤，纳米银墨水形成连续、无缺陷且低电阻的阴极行，且无任何畸变。红、绿、蓝显示器分别呈现0.62、4.38和0.93 cd/A的电流效率，以及(0.63, 0.37)、(0.39, 0.57)和(0.18, 0.16)的CIE色坐标。该阴极印刷技术无需阴极金属热蒸镀所需的高真空环境，有望推动平板显示器的工业卷对卷生产工艺发展。

    关键词： 缓冲层，PLED，印刷阴极，显示器

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 无需表面活性剂的稳定SnS2纳米颗粒分散液，用于沉积器件级薄膜

    摘要： 硫化锡（SnS?）因其可能形成二维形貌的层状结构，近年来受到广泛关注。作为一种n型半导体，其带隙和电子亲和能与CdS、In?S?相近，因此可作为这些材料在薄膜太阳能电池中的替代品。本研究采用溶剂热法，在不同水-乙醇混合比例溶液中合成了具有不同形貌的SnS?纳米颗粒，发现乙醇比例越高越易形成大尺寸片状结构，而水基合成则产生极小的纳米片。湿法沉积器件级SnS?薄膜的关键挑战在于需要高度分散的颗粒/片层。我们发现高极性的N,N-二甲基甲酰胺（DMF）是理想的分散介质，能形成高度稳定的分散液。通过将0.5 wt% DMF体系的SnS?溶液以2000 rpm旋涂1分钟或滴铸法处理，可简单制备出具有[001]择优取向、与基底结合良好且非常均匀的纳米晶薄膜。该薄膜的电子亲和能为4.33 eV，带隙为2.27 eV，与铜铟镓硫硒（CIGS）太阳能电池能级完美匹配。

    关键词： 二维结构、无表面活性剂分散、铜铟镓硫硒太阳能电池、二硫化锡薄膜、二甲基甲酰胺、缓冲层

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 通过缓冲层界面工程实现高效钙钛矿太阳能电池的深度解析：第一性原理研究

    摘要： 近年来，钙钛矿太阳能电池（PSCs）的功率转换效率实现了快速提升。界面工程是进一步提高PSCs性能的有效途径。本研究通过第一性原理计算，探究了四种候选缓冲材料（MACl、MAI、PbCl2和PbI2）对MAPbI3吸光层与TiO2界面电子结构的影响。研究发现：MAX（X=Cl,I）作为缓冲层会引入高电子势垒并加剧电子-空穴复合，且对表面态钝化效果不佳；PbI2的导带底远低于MAPbI3吸光层，这将显著限制吸光层的能带弯曲及电池开路电压。相比之下，PbCl2因具有适宜的能带边缘能级位置、与TiO2表面较小的晶格失配度以及优异的表面钝化特性，成为PSCs吸光层/电子传输层界面工程的理想缓冲材料。本研究成果深化了对缓冲层界面工程作用机制的理解，将为提升PSCs及相关光电器件性能提供重要指导。

    关键词： 钙钛矿太阳能电池、能带对齐、界面缺陷钝化、缓冲层、界面工程

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • NiO/钙钛矿异质结接触工程实现高效稳定钙钛矿太阳能电池

    摘要： 最新研究表明，钙钛矿太阳能电池中的界面态是影响器件稳定性和性能的主要因素，而包括应变工程在内的界面工程是解决该问题的有效方法。本工作在NiOx空穴传输层与钙钛矿层之间插入CsBr缓冲层，以缓解晶格失配引发的界面应力并诱导更有序的晶体生长。实验和理论结果表明，添加CsBr缓冲层优化了钙钛矿吸光层与NiOx空穴传输层之间的界面，减少了界面缺陷和陷阱，增强了空穴提取/传输能力。实验数据显示，最优器件的功率转换效率高达19.7%，显著高于未使用CsBr缓冲层的器件，同时器件稳定性也得到提升。本研究深化了对NiOx/钙钛矿界面的理解，并为界面优化提供了新策略。

    关键词： 晶格失配、缓冲层、氧化镍、接触工程、钙钛矿太阳能电池

    更新于2025-09-23 15:21:01

  • 高稳定性全无机CsPbI2Br平面钙钛矿太阳能电池的界面接触改进

    摘要： 由于其合适的带隙和卓越的热稳定性，全无机钙钛矿CsPbI2Br近期引起了学术界和产业界的关注。然而，它在环境大气中稳定性较差，仍存在相变问题。本研究引入CsBr作为电子传输层与CsPbI2Br钙钛矿吸光层之间的界面层，以诱导更有利的钙钛矿晶体生长，并制备了结构简单的器件（ITO/SnO2/CsBr/CsPbI2Br/Spiro-OMeTAD/Ag）。CsBr缓冲层通过减小晶格失配发挥作用，不仅能引导和控制CsPbI2Br薄膜的形成，还能显著增强钙钛矿的相稳定性。改性后，器件在未封装条件下展现出显著提升的光照、热、环境及长期稳定性。同时器件性能也得到改善：未封装的CsBr处理器件在长时间光照后功率转换效率（PCE）仍保持初始值的80%以上，具有优异的热稳定性（初始值留存率超78%），耐湿性更强，在N2手套箱中存放40天后仅下降13%。

    关键词： 界面接触，CsPbI2Br，稳定性，钝化，缓冲层

    更新于2025-09-23 15:21:01