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oe1(光电查) - 科学论文

8 条数据
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  • [IEEE 2019光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 意大利罗马（2019.6.17-2019.6.20）] 2019光子学与电磁学研究春季研讨会（PIERS-Spring） - 基于基板集成波导缝隙阵列天线的准无衍射波束产生与调控

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该模型通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露和老化效应变化的MOS静电特性及器件工作特性影响。该方法在大块硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到证实。该建模方法适用于模拟先进MOS器件和IC中的TID与老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证实例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 面向数据中心内部应用的超高速2:1数字选择器与行波等离子体调制器IM/DD发射机（工作速率222 GBaud）

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法在大块硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得以证实。该建模方法适用于模拟先进MOS器件和IC中的TID与老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证示例。

    关键词： 紧凑建模、绝缘体上硅（SOI）、电离辐射、半导体器件、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [IEEE 2020年第十届计算与通信研讨会及会议(CCWC) - 美国内华达州拉斯维加斯(2020.1.6-2020.1.8)] 2020年第十届计算与通信研讨会及会议(CCWC) - 基于连续子空间学习的DFB激光芯片缺陷检测

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方法通过计算表面势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露和老化效应变化的MOS静电特性及器件工作特性影响。该建模方法在大规模和绝缘体上硅（SOI）MOS器件中得到验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到证实。该建模方法适用于先进MOS器件和IC中TID与老化效应的仿真，并与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID与老化效应的电路级验证示例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • [2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 德国慕尼黑（2019年6月23日-27日）] 2019年欧洲激光与电光会议暨欧洲量子电子学会议（CLEO/Europe-EQEC） - 构建城郊量子网络链路

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法以体硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件为例进行验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到验证。该建模方法适用于模拟先进MOS器件与IC中的TID和老化效应，且与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证实例。

    关键词： 紧凑建模、绝缘体上硅（SOI）、电离辐射、半导体器件、金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）、老化效应

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 美国伊利诺伊州芝加哥(2019.6.16-2019.6.21)] 2019年IEEE第46届光伏专家会议(PVSC) - 紫外线照射：一种制造纳米线太阳能电池的新颖加工方法

    摘要： 本文提出了一种基于物理的紧凑建模方法，该方法将总电离剂量（TID）和应力诱导缺陷的影响纳入金属氧化物半导体（MOS）器件与集成电路（IC）的仿真中。该方案通过计算表面电势（ψs）来捕捉氧化层陷阱电荷和界面陷阱的电荷贡献，并描述它们随电离辐射暴露及老化效应变化的MOS静电特性与器件工作特性影响。该建模方法以体硅和绝缘体上硅（SOI）MOS器件为例进行验证，其公式体系通过TCAD仿真以及辐照器件模型计算与实验I-V特性的对比得到验证。该建模方法适用于先进MOS器件与IC中TID和老化效应的仿真，并与现代MOSFET紧凑建模技术兼容。文中还给出了SRAM单元中TID和老化效应的电路级验证示例。

    关键词： MOSFET、SOI、半导体器件、紧凑建模、电离辐射、老化效应

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • [2019年IEEE光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS-Fall）- 中国厦门（2019.12.17-2019.12.20）] 2019光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS-Fall）- 分布式光纤传感系统的并行计算技术

    摘要： 由于衰老导致的人声渐变给说话人验证带来了挑战。本研究提出一种利用比对样本间时间间隔作为附加信息来校准说话人验证系统输出分数的方法。我们为传统线性分数校准变换设计了若干函数，将这种被视为衰老信息的时间参数纳入其中。实验数据涵盖短期衰老间隔（2个月至3年）和长期衰老间隔（长达30年）。研究表明，该衰老校准方案能有效补偿短期与长期间隔下区分度与校准性能的下降，并对未见过的衰老间隔具有良好外推性。在短期和长期间隔下分别获得1-4%和10-43%的C????（对数似然比成本）相对降低。当系统已知比对样本间的时间间隔时，该方法能直接补偿衰老对说话人验证性能的不利影响。

    关键词： 说话人差异性、质量评估指标、老化效应、校准、说话人验证

    更新于2025-09-19 17:13:59

  • 《氧气等离子体处理的Spiro-OMeTAD助力钙钛矿太阳能电池高性能表现》再版

    摘要： 使用小分子空穴传输材料Spiro-OMeTAD经氧等离子体处理后，实现了高效钙钛矿太阳能电池。研究表明，对固态钙钛矿太阳能电池的空穴传输层进行等离子体处理可提升功率转换效率。其性能提升原因在于钙钛矿与Spiro-OMeTAD之间良好的能级匹配，这促进了有源层/空穴传输层界面处的空穴载流子有效传输。本研究通过获得25.4 mA/cm2的电流密度、1.02 V的开路电压和60.2%的填充因子，使电池效率超过15%，展现出显著的性能提升。

    关键词： 钙钛矿太阳能电池，氧等离子体，等离子体处理，老化效应

    更新于2025-09-16 10:30:52

  • [OSA光纤传感器 - 洛桑（2018..-..）] 第26届国际光纤传感器会议 - 光纤法布里-珀罗压力传感器的加速全寿命周期性能评估

    摘要： 对光纤法布里-珀罗压力传感器进行了长期实验适用性评估。在51周的测试周期内，这些传感器经历了超过7000次压力循环。整个期间未观察到任何老化效应。

    关键词： 压力传感器、老化效应、长期实验、光纤法布里-珀罗

    更新于2025-09-16 10:30:52