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一种超分子Cd(Ⅱ)金属凝胶：一种高效的半导体电子器件
摘要： 基于超声策略，在室温常压条件下将醋酸镉二水合物与低分子量凝胶剂（LMWG）草酸二水合物溶于N,N-二甲基甲酰胺溶剂，成功合成功能性超分子Cd(II)金属凝胶（CdA-OX）。通过流变学研究探究了该超分子Cd(II)金属凝胶的力学性能，场发射扫描电子显微镜观测揭示了超分子金属水凝胶的鹅卵石状自组装分级结构，全面检测的电学性质表明其具有半导体特性。基于导电性能，该Cd(II)金属凝胶成功应用于肖特基势垒二极管。本工作是Cd(II)金属凝胶在技术挑战性电子器件应用中的新范例。
关键词： 肖特基势垒二极管、超分子Cd(II)金属凝胶、基于超声的合成方法、电子器件、半导体特性
更新于2025-11-21 11:18:25
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基于超宽禁带Ga2O3半导体的肖特基势垒二极管在功率电子学应用中的概述
摘要： 氧化镓（Ga2O3）是一种具有超宽禁带、高击穿电场和优异巴利加优值（BFOM）的新型半导体材料，是肖特基势垒二极管（SBD）等下一代高功率器件的理想候选材料。本文分析了Ga2O3半导体的基本物理特性，综述了基于Ga2O3的SBD最新研究进展，总结了提升器件击穿电压和导通电阻等性能的各种方法并进行比较，最后分析了Ga2O3基SBD在功率电子领域的应用前景。
关键词： 击穿电场、巴利加优值、导通电阻、超宽禁带半导体、氧化镓（Ga?O?）、功率器件、肖特基势垒二极管（SBD）
更新于2025-09-23 15:22:29
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卤化物气相外延技术在超宽禁带Ga?O?生长中的应用
摘要： 卤化物气相外延（HVPE）在半导体工业中被广泛用于生长硅、砷化镓、氮化镓等材料。HVPE是一种非有机化学气相沉积（CVD）技术，其特点是能够以快速生长速率实现高质量的外延层生长，适用于制备具有广泛应用前景的衬底和器件。本文综述了HVPE在氧化镓（Ga2O3）生长及器件应用中的使用情况，并详细讨论了HVPE技术的多个方面。研究结论表明，HVPE是实现大面积氧化镓衬底外延生长和制备高功率β-Ga2O3器件的有前途的技术选择。
关键词： 卤化物气相外延、肖特基势垒二极管、外延生长、氧化镓
更新于2025-09-23 15:22:29
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氧化镓肖特基势垒二极管中场板终端的仿真研究
摘要： 本研究通过仿真分析了Ga2O3肖特基势垒二极管（SBD）的场板终端结构。揭示了场板重叠、介质材料及厚度对终端电场分布的影响。研究发现：对于SiO2、Al2O3和HfO2三种介质，其最佳厚度均随反向偏压增大而增加；当厚度增加时，SiO2和Al2O3的最大电场强度降低，而HfO2则升高。此外，SiO2和HfO2适用于600V级Ga2O3 SBD，Al2O3则同时适用于600V和1200V级器件。通过与SiC和GaN基SBD对比发现：Ga2O3的击穿电压瓶颈在于介质层，而SiC和GaN的瓶颈主要来自半导体材料本身。
关键词： 场板、终端技术、氧化镓、肖特基势垒二极管
更新于2025-09-23 15:22:29
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由N-取代1,8-萘酰亚胺制备的两种类似肖特基接触的电学特性
摘要： 本研究的目的是分析纯Al//p-Si/Al、Al/N-F Nft/p-Si/Al和Al/N-T Nft/p-Si/Al肖特基势垒二极管(SBDs)中的界面态(Nss)。通过旋涂法在p-Si衬底上沉积N取代的1,8-萘酰亚胺薄膜，并在空气氛围中于200°C退火60秒。采用反应磁控溅射法制备铝电极。室温下测量了SBDs的电流-电压(I-V)特性。根据I-V特性测得：Al//p-Si/Al、Al/N-F Nft/p-Si/Al和Al/N-T Nft/p-Si/Al肖特基二极管的理想因子(n)分别为1.27、1.00和1.05，零偏压势垒高度(Fb)值分别为0.66 eV、0.70 eV和0.64 eV。通过考虑有效势垒高度(Fe)和串联电阻(Rs)，从正向偏置I-V测量中提取了界面态密度分布曲线(Nss)随(Ess-Ev)的变化关系。所得Nss曲线趋势表明界面态对整流和电容特性无显著影响。含1,8-萘酰亚胺层的Nss值低于不含该层的器件，说明萘酰亚胺通过阻隔导电机制中可能引发载流子沿结区形成裂纹或深能级通道的不良态和部分陷阱，表现出显著的改善作用。
关键词： 磁控溅射、界面态、肖特基势垒二极管、旋涂、1,8-萘酰亚胺
更新于2025-09-23 15:19:57
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基于聚二辛基芴的肖特基器件通过CdSe量子点实现微电子性能的协同增强
摘要： 本文报道了硒化镉（CdSe）量子点（QDs）在改善半导体材料聚-9,9-二辛基芴（F8）制备的肖特基势垒二极管（SBD）微电子特性方面的潜在应用。通过在预先沉积于氧化铟锡（ITO）衬底上的聚-3-己基噻吩（P3HT）上分别旋涂10 wt%的F8氯仿溶液和10:1 wt%的F8:CdSe QDs溶液，制备了两种SBD：Ag/F8/P3HT/ITO和Ag/F8-CdSe QDs/P3HT/ITO。为研究器件的电学特性，在25°C暗条件下进行了电流-电压（I-V）测试。Ag/F8/P3HT/ITO和Ag/F8-CdSe QDs/P3HT/ITO SBD的I-V曲线呈现不对称特性，在±3.5 V下正向偏置整流比（RR）分别为7.42±0.02和142±0.02，证实了耗尽区的形成。通过相应I-V特性提取了影响器件微电子特性的关键参数，如载流子迁移率（μ）、势垒高度（φb）、串联电阻（Rs）和品质因数（n）。同时采用Norde和Cheung函数对器件进行表征以研究各参数的一致性。与Ag/F8/P3HT/ITO相比，Ag/F8-CdSe QDs/P3HT/ITO SBD的Rs、n和RR值分别显著提升了3倍、1.7倍和19倍，这归因于具有三维量子限域效应和大比表面积的CdSe QDs的引入。还讨论了两种器件的Poole-Frenkel和Richardson-Schottky导电机制。此外，还报道并分析了CdSe QDs的形貌、光学带隙（1.88±0.5 eV）及峰值强度位于556 nm的光致发光（PL）光谱。
关键词： 聚(9,9-二辛基芴)、载流子迁移率、肖特基势垒二极管、微电子特性、硒化镉量子点
更新于2025-09-23 15:19:57
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高掺杂单晶衬底上β-Ga?O?肖特基势垒二极管的温度依赖电学特性
摘要： 在高度掺杂的单晶衬底上制备了β相氧化镓（β-Ga2O3）肖特基势垒二极管，通过正向/反向电流密度-电压及电容-电压特性测试全面研究了其温度依赖性电学特性。肖特基势垒高度与理想因子均呈现温度依赖行为，揭示了界面缺陷导致的势垒界面非均匀性。将电压依赖的肖特基势垒引入热电子发射理论后，可进一步验证非均匀势垒模型。此外，由于材料和表面质量良好，反向漏电流主要由体区漏电流主导，并测得了单位距离漏电流值。这些结果可为设计基于高掺杂衬底或外延层的高效β-Ga2O3电子/光电器件提供重要参考。
关键词： 功率电子学，肖特基势垒二极管，宽禁带材料，氧化镓
更新于2025-09-22 21:21:08
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草酸-单乙醇胺超分子凝胶在肖特基势垒二极管中的潜在应用
摘要： 通过直接即时混合草酸的N,N-二甲基甲酰胺（DMF）溶液与纯单乙醇胺，在室温常压条件下成功制备出草酸-单乙醇胺功能化超分子凝胶（OXMEA）。流变分析证实该力学稳定的OXMEA超分子凝胶具有粘弹性半固体特性。场发射扫描电镜观测揭示了凝胶网络呈现类菜豆种子的层级结构。通过带隙能量与电导率测定验证了凝胶的半导体特性?；贠XMEA凝胶的金属-半导体结薄膜器件进一步分析了其电荷传输性能，该器件呈现的非线性电流-电压特性表明所合成凝胶具有肖特基势垒二极管特性。本研究整体证明了基于OXMEA凝胶介质开发半导体电子器件的可行性。
关键词： 半导体、形态学、超分子凝胶、流变学、肖特基势垒二极管
更新于2025-09-23 03:57:56
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高质量合成掺硼金刚石单晶及其肖特基势垒二极管的电学特性
摘要： 研究了通过高温高压法生长的高质量合成硼掺杂金刚石单晶的电阻率和霍尔系数的温度依赖性。通过改变生长混合物中硼的浓度（0.0004-0.04原子百分比），(001)切片的受主浓度在2×101?-3×101? cm?3范围内变化。经X射线形貌术和紫外荧光图谱检测后，采用激光切割出硼浓度均匀且无扩展结构缺陷的薄矩形切片。根据霍尔效应和电容-电压特性数据计算样品中施主与受主浓度。所得结果与生长混合物中硼浓度相关。当生长混合物中硼浓度为0.002原子百分比时，观察到受主与施主的最小补偿比（低于1%）。该比值随硼含量增加或减少而升高。此类硼浓度生长的样品具有最大载流子迁移率（300K时为2200 cm2/(V·s)，180K时为7200 cm2/(V·s)）。在整个温度范围（180-800K）内，空穴的声子散射占主导地位，而点缺陷（中性及电离杂质原子）散射影响甚微。由含0.0005-0.002原子百分比硼的混合物生长、具有完美品质和晶格散射机制的金刚石晶体可视为参考半导体。
关键词： 肖特基势垒二极管，半导体金刚石，电学性能
更新于2025-09-23 11:30:24
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采用感应耦合等离子体(ICP)优化准垂直GaN肖特基势垒二极管(SBD)的台面刻蚀工艺及器件特性
摘要： 本研究全面探究了采用感应耦合等离子体（ICP）刻蚀技术对准垂直氮化镓（GaN）肖特基势垒二极管（SBD）台面刻蚀的优化方案，包括刻蚀掩模选择、ICP功率、射频（RF）功率、混合气体比例、流量及腔室压力等参数。特别地，通过结合ICP干法刻蚀与四甲基氢氧化铵（TMAH）湿法处理，消除了台面侧壁底部拐角处的微沟槽。最终利用优化后的刻蚀工艺实现了高各向异性的台面侧壁形貌，并制备出准垂直GaN SBD，在-10V反向偏压下获得10?? A/cm2的低反向电流密度。
关键词： 准垂直、电感耦合等离子体（ICP）、氮化镓（GaN）、干法刻蚀、侧壁轮廓、台面结构、肖特基势垒二极管（SBD）
更新于2025-09-19 17:13:59