具有可调耐酸性的锆掺杂氧化铟有源层的背沟道蚀刻薄膜晶体管

摘要： 本文开发了一种可调耐酸性的锆掺杂氧化铟（ZrInO）半导体材料。详细研究表明，ZrInO薄膜的耐酸性具有可调性且随退火温度升高而增强。利用这一特性，我们成功制备了基于可调耐酸ZrInO薄膜的背沟道刻蚀型（BCE）薄膜晶体管（TFT）。采用BCE结构的ZrInO-TFT展现出优异电学性能：饱和迁移率达21.4 cm2V?1s?1，亚阈值摆幅为0.28 V/十倍频程，开关电流比达1.0×10?。这些结果表明，所开发的具有可调耐酸性的ZrInO半导体在BCE-TFT沟道层应用中具有良好的前景。