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BiSn共晶的多脉冲激光烧蚀：非化学计量元素转移与形貌分析
摘要： 采用波长351纳米、脉宽20纳秒的准分子激光器，对共晶BiSn靶材表面多个位点进行多组脉冲烧蚀。通过扫描电子显微镜、光学轮廓仪和能量色散光谱仪(EDS)分析了不同脉冲数下形成的烧蚀坑形貌。每组脉冲的最后一发激光均进行了激光诱导击穿光谱(LIBS)测量。不同脉冲组烧蚀坑的LIBS谱线中Bi I 472.25纳米与Sn I 563.16纳米峰强比从单脉冲最大值降至70脉冲组后的稳定值。各脉冲组的EDS元素面分布显示Bi原子丰度随LIBS谱Bi峰归一化强度降低而减少?；诳伺舴⒛Ｐ徒馐土松帐辞С煞直浠?。首次观测到显著流体力学效应形成的50微米高边缘结构，该异常形貌特征通过流体力学效应与反冲压力机制得以阐释。
关键词： 激光诱导击穿光谱（LIBS）、铋锡共晶、激光烧蚀、能量色散X射线光谱（EDS）、扫描电子显微镜（SEM）
更新于2025-09-23 15:21:01
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2016年欧洲显微镜学大会：会议录 || 基于有序InGaN纳米柱发光二极管的分析电子显微镜表征
摘要： 由InGaN/GaN盘状结构自组装形成的纳米柱（NCs）为传统平面发光二极管（LED）器件提供了替代方案[1]。然而，单个纳米LED间电学特性的显著离散性制约了其效率与可靠性。由于InGaN合金固有的成分波动倾向会随生长晶面极性变化而产生不均匀分布，导致其呈现多色发光现象[2]。近期分子束外延技术实现的纳米柱选择性区域生长，已能制备出具有更高结晶质量且铟分布可控性更强的高度均匀GaN/InGaN纳米柱[3]。本研究展示了基于有序InGaN活性盘状结构纳米柱LED的表征结果（图1）。通过校正像差的JEOL-JEM-ARM200扫描透射电子显微镜（STEM）进行纳米结构精细表征：原子级分辨的高角环形暗?。℉AADF）图像分析证实了纳米柱的高结晶质量；能谱（EDS）元素面扫描揭示了InGaN盘内铟分布；环形明场（ABF）图像中氮原子柱定位则追踪了半导体纳米柱的极性（图2）。利用FEI STEM Tecnai F20低温阴极荧光（CL）光谱技术，实现了纳米尺度上光学特性与结构特性的直接关联[4]。
关键词： 纳米线、能量色散X射线光谱（EDS）、环形明场成像、氮化铟镓（InGaN）、发光二极管（LEDs）、原子级分辨率扫描透射电子显微镜（STEM）
更新于2025-09-12 10:27:22
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基于氧化锌的纳米复合材料的合成、表征及抗菌活性
摘要： 本研究合成了基于ZnO的纳米复合材料，包括ZnO/CuO（S1）、ZnO/MnO（S2）和ZnO/MnO/CuO（S3）。通过傅里叶变换红外光谱（FTIR）、X射线衍射（XRD）、扫描电子显微镜（SEM）和能量色散X射线光谱（EDS）技术对S1、S2和S3进行了表征。同时，采用菌落形成计数法检测了样品对革兰氏阳性金黄色葡萄球菌和革兰氏阴性大肠杆菌的抗菌性能。FTIR分析证实样品中存在Zn-O、Mn-O和Cu-O键。XRD分析了样品的晶体结构。SEM图像研究了制备化合物的表面形貌。EDS技术用于确认样品中Zn、Mn和Cu元素的存在。结果明确显示S1、S2和S3具有高抗菌活性，尤其是S3。
关键词： 扫描电子显微镜（SEM）、能量色散X射线光谱（EDS）、傅里叶变换红外光谱（FTIR）、X射线衍射（XRD）、抗菌活性、氧化锌基纳米复合材料
更新于2025-09-10 09:29:36
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热中子辐照对Au/n-Si/Ag肖特基势垒二极管电流-电压及电容-电压特性的影响
摘要： 为观察中子嬗变和位移损伤效应，将Au/n-Si/Ag肖特基势垒二极管置于热中子辐照环境中。通过二极管的电流-电压（I-V）和电容-电压（C-V）特性，研究了辐照引起的肖特基势垒高度、饱和电流及施主浓度变化。10秒辐照仅使I-V和C-V测量获得的肖特基二极管参数产生微小变化，30秒的第二次辐照后参数出现显著改变。总剂量辐照后，由于热中子损伤的载流子移除效应，饱和电流增大、势垒高度不均匀性加剧，同时载流子浓度降低。虽然零偏压势垒高度值辐照后变化甚微，但理想因子值辐照后升高。所有二极管的零偏压势垒高度值也通过反向偏压电流特性计算得出，第二次剂量辐照后所有二极管的该数值均下降。采用Cheung函数测定辐照前后的串联电阻值，辐照前介于2.10 kΩ至2.76 kΩ之间，第二次剂量辐照后所有二极管的串联电阻值下降至1.59 kΩ至2.20 kΩ范围。此外，通过能量色散谱（EDS）面扫描证实了器件内元素发生热中子嬗变。
关键词： 半导体器件辐射效应、肖特基二极管、电学特性表征、能量色散X射线光谱（EDS）面扫描、硅、热中子辐照
更新于2025-09-04 15:30:14