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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 陡峭高压脉冲触发的体半导体皮秒级雪崩开关

    摘要： 报道了由陡峭（dU/dt > 10 kV/ns）高压脉冲触发的硅和硒化锌体半导体结构亚纳秒雪崩开关的实验观测与数值模拟。实测开关时间约100皮秒。该开关过程具有可持续性、重复性且抖动可忽略。实验与数值结果的对比表明：开关后整个器件体积内均匀充满非平衡电子-空穴等离子体。

    关键词： 半导体激光器、电力电子、脉冲功率系统开关

    更新于2025-09-23 15:21:21

  • 一种精确测量4H-SiC光电导开关光电导性能的新方法

    摘要： 提出了一种精确测量光电导半导体开关（PCSS）光电导性能的新方法。通过该方法，我们成功提取了不受测试电路中寄生电感干扰的4H-SiC衬底光电导率。精确测量了PCSS的光电导性能，其中SiC衬底获得了最大导通态光电导率6.26 (Ω·m)?1、最小导通态电阻率0.16 Ω·m以及精确的最小电阻值1.71 Ω。证明了导通态电阻与激光触发区域面积倒数的定量关系。只需改变激光激励区域的面积，即可连续调整PCSS的性能以适应不同的应用需求。

    关键词： 脉冲功率系统开关、碳化硅、光电导开关、导通电阻、本征光电导

    更新于2025-09-04 15:30:14