利用脉冲加热抑制AlGaN/GaN异质结构光电探测器的持续光电导现象

摘要： 本文展示了一种通过脉冲加热模式缩短AlGaN/GaN光电探测器衰减时间的方法。我们制备了集成微加热器的悬浮式AlGaN/GaN异质结构光电探测器，并在紫外光照射下进行表征。研究发现，施加脉冲加热能有效加速持续光电导（PPC）过程。在相同功率（280 mW）条件下，衰减时间从直流加热的175秒显著缩短至50赫兹脉冲加热的116秒。当采用相同脉冲占空比和50赫兹脉冲加热频率时，与直流加热相比，衰减时间减少了30-45%。