基于核壳结构GaN/MoO???纳米棒阵列异质结的自供电高性能紫外光电探测器

摘要： 自供电紫外光电探测器在空间通信和环境监测领域极具应用价值。然而大多数此类探测器在弱信号检测中表现欠佳。本研究展示了一种基于核壳结构GaN/MoO3–x纳米棒阵列（NRA）异质结的自供电紫外光电探测器。通过简易单步物理气相沉积法，在GaN纳米棒阵列上均匀沉积了MoO3–x薄膜。该探测器在无任何电源供给条件下，于355 nm波长处展现出2.7×1015琼斯（Jones）的超高比探测率。进一步分析表明：零偏压下其响应度达160 A W?1，且具有2.0×104的高紫外-可见光抑制比（R355 nm/R400 nm）。该自供电器件还具备快速响应特性，上升/下降时间仅为73/90微秒。这种兼具超高探测率、响应度及快速响应特性的自供电探测器，在下一代紫外检测领域展现出巨大应用潜力。该核壳结构NRA异质结设计为纳米级自供电紫外光电探测器的实现提供了重要方向。