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基于ZnO/NiO/Si异质结构、采用脉冲激光沉积法制备的磁双极晶体管
摘要： 氧化物半导体是下一代电子器件的有前途候选材料。本工作采用脉冲激光沉积技术在n型硅片上生长p-NiO和n-ZnO薄膜，并在670℃氧气环境下进行原位退火，制备了磁性双极晶体管。通过X射线衍射和拉曼光谱对这些薄膜进行结构表征，利用振动样品磁强计(VSM)研究其磁性能。采用共发射极配置直流偏置测试所制晶体管的I-V特性，通过传统晶体管输出特性确定结参数（如理想因子、串联电阻）及晶体管参数（如q点）。由于NiO中镍或氧空位的存在导致自旋极化双极输运，二极管和晶体管在外加磁场作用下电流增大。因此这些器件的电流放大可通过自旋控制，使其在自旋电子学应用中具有吸引力。
关键词： 氧化物半导体、脉冲激光沉积、自旋电子学应用、磁双极晶体管
更新于2025-09-23 15:19:57
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SnSe2双层结构的层间掺杂第一性原理研究
摘要： 采用密度泛函理论计算，我们系统研究了过渡金属（TM）数量和类型对SnSe?双层纳米片磁性的影响。结果表明：当单层TM插入层间时，Co和Ni诱导的磁矩微弱，而V、Cr、Mn和Fe掺杂会显著增强磁矩。双TM插入时，V和Cr使体系转变为弱反铁磁（AFM）态，Mn、Fe和Co掺杂体系则呈现弱铁磁（FM）基态——这些FM态的磁矩是单TM掺杂体系的两倍。当TM数量增至四个时，Fe和Mn掺杂分别表现出强AFM和FM特性。无论填充多少Ni原子均不产生磁性。值得注意的是，随着掺杂量增加，Fe-SnSe?和Cr-SnSe?体系分别预测会发生FM→AFM和AFM→FM转变，这种转变可能对自旋电子器件应用具有重要意义。
关键词： 层间掺杂、自旋电子学应用、密度泛函理论、反铁磁性、建模与仿真、铁磁性、SnSe2
更新于2025-09-10 09:29:36