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[2019年IEEE光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS-Fall）- 中国厦门（2019.12.17-2019.12.20）] 2019光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS-Fall）- 嵌入于单共享宽带光源工作的频谱切片WDM-PON传输系统中的光纤布拉格光栅传感器网络
摘要： 过去已开发并运用包含四个分量电压和电流的自旋电路来分析各类结构（包括非共线铁磁体）。近期在铂、钽和钨等重金属中观测到巨大自旋轨道力矩的现象，为自旋电子学应用开辟了新途径——提供了向磁体写入信息的替代方案。本文基于标准扩散方程，将四分量（一个电荷分量与三个自旋分量）电导矩阵拓展至具有自旋霍尔效应的材料体系。我们提出的自旋电路成功复现了自旋霍尔效应（SHE）、逆自旋霍尔效应及自旋霍尔磁电阻等经典结果，该电路表征方法还能直接用于分析新构型。我们展示两个实例：1）利用巨自旋霍尔效应（GSHE）材料无需隧穿势垒即可向半导体注入自旋；2）薄层GSHE样品单表面自旋极化对另一表面自旋流注入的增强效应。最后，我们给出了可用于分析任意形状GSHE材料的小立方体基本电导矩阵单元。
关键词： 自旋进动/沉降，自旋霍尔磁阻，电导矩阵，巨自旋霍尔效应，逆自旋霍尔效应，四分量自旋电路，自旋霍尔效应
更新于2025-09-19 17:13:59
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[2019年IEEE光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS-Fall）- 中国厦门（2019.12.17-2019.12.20）] 2019年光子学与电磁学研究秋季研讨会（PIERS-Fall）- 实现高灵敏度等离子体本征与外禀光纤传感器的新方法
摘要： 过去已开发并运用包含四个分量电压和电流的自旋电路来分析各类结构（包括非共线铁磁体）。近期在铂、钽和钨等重金属中观测到强自旋轨道力矩的现象，为自旋电子学应用开辟了新途径——提供了向磁体写入信息的替代方案。本文基于标准扩散方程，将四分量（一个电荷分量和三个自旋分量）电导矩阵拓展至具有自旋霍尔效应的材料体系。我们提出的自旋电路成功复现了自旋霍尔效应（SHE）、逆自旋霍尔效应及自旋霍尔磁电阻等标准结果。该电路表征方法还能直接用于分析新构型：首先展示巨自旋霍尔效应（GSHE）材料无需隧穿势垒即可向半导体注入自旋的可行性；其次揭示薄层GSHE样品中单表面自旋极化对增强另一表面自旋电流注入的作用。最后给出可用于构建任意形GSHE材料分析单元的小立方体基本电导矩阵。
关键词： 自旋接地/下沉、自旋霍尔磁阻、电导矩阵、巨自旋霍尔效应、逆自旋霍尔效应、四分量自旋电路、自旋霍尔效应
更新于2025-09-19 17:13:59
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Y<sub>3</sub>Fe<sub>5</sub>O<sub>12</sub>基底上金薄膜的类反?；舳嵯虼抛?
摘要： 与磁性绝缘体接触的铂中出现的类反?；舳藕攀浅＜窒螅赏ü诮呕蜃孕舳抛瑁⊿MR）解释。本工作测量了铁磁共振绝缘体Y3Fe5O12（钇铁石榴石，YIG）上纯金薄膜的纵向和横向磁阻。研究表明：当采用SMR理论框架时，YIG/金与YIG/铂参考体系中的纵向和横向磁阻均呈现定量一致的标度关系，未发现邻近磁效应导致的反?；舳в毕住?
关键词： 金薄膜，反常霍尔效应，Y3Fe5O12（钇铁石榴石），邻近磁化，自旋霍尔磁阻
更新于2025-09-09 09:28:46