- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
具有邻近诱导自旋轨道耦合的石墨烯中自旋弛豫各向异性的微观理论
摘要： 我们提出了一种弱无序石墨烯中自旋动力学的微观理论，该石墨烯具有均匀的邻近诱导自旋-轨道耦合（SOC）。采用含时微扰方法推导出高电子密度下、任意比值λSOC/η（其中η为无序引起的准粒子展宽，λSOC为最大自旋-轨道能标）的自旋布洛赫方程。根据界面诱导的拜克洛夫-拉什巴效应与自旋谷相互作用之间的微妙竞争，预测了多种丰富情景。在弱SOC（λSOC ? η）的运动变窄区域，面外与面内自旋寿命各向异性比ζ=τ⊥s/τ∥s与Cummings等人近期提出的涨落SOC场中自旋玩具模型（Phys. Rev. Lett. 119, 206601 (2017)）定性一致。对于可分辨SOC（λSOC ? η），自旋动力学表现为快速阻尼振荡，其弛豫时间尺度为单次散射事件。该区域获得的ζ公式具有质的不同，可用于建模超洁净范德华异质结构中的自旋输运。
关键词： 自旋轨道耦合、范德华异质结构、自旋动力学、拜科夫-拉什巴效应、石墨烯、自旋谷相互作用
更新于2025-09-04 15:30:14
-
基于第一性原理分析的rGO-ZnO二维复合结氧化还原物种吸附概率预测
摘要： 本文旨在利用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算方法，通过Virtual Nanolab(VNL)Atomistix Toolkit(ATK)(v2016.4)研究气体(氧化性和还原性)在p型还原氧化石墨烯(rGO)与n型二维氧化锌(2D-ZnO)形成的范德华(vdW)异质结上的吸附概率。研究考虑了两种异质结构：羟基(sp2)位于还原氧化石墨烯(rGO)边缘的异质结构类型1，以及羟基(sp3)垂直于rGO平面的异质结构类型2。针对氧化性物质(以NO2为测试案例)和还原性物质(以NH3为测试案例)，计算了吸附能、电荷转移及吸附质最近原子距离，并与氧气在rGO/2D-ZnO异质结构及其单独组分(rGO纳米片和2D-ZnO)上的情况进行了对比。与2D-ZnO类似，异质结构类型1对NO2也表现出选择性，其吸附能分别是2D-ZnO和rGO的近三倍和五倍。另一方面发现，异质结构类型2中底层2D-ZnO的电荷分布即使在气体吸附后也几乎未改变，因此相比其2D-ZnO对应物改进效果不显著。
关键词： 气体吸附概率、电荷转移、范德华异质结构、密度泛函理论、rGO-ZnO杂化体系
更新于2025-09-04 15:30:14
-
外延石墨烯范德华异质结构
摘要： 我们报道了在石墨化SiC(0001)衬底上生长的单原子层SnSe2薄膜中界面超导的直接观测结果。超导态下的隧道谱显示出具有完全能隙序参量的常规特性。在外加磁场下观察到涡旋进一步证实了超导现象的存在。通过界面工程，我们揭示了这种超导性起源于SnSe2与石墨烯界面处形成的二维电子气的机制。这一发现为基于范德华异质结构寻找和理解界面超导开辟了新策略。
关键词： 二维电子气、界面超导性、范德华异质结构、SnSe2、石墨烯
更新于2025-09-04 15:30:14