用于薄层转移应用的纳米多孔硅基底的结构和光学性能优化

摘要： 本文研究了纳米多孔硅的光学与结构特性。样品通过电化学腐蚀重掺硼硅片制备，采用氢氟酸电解液，并在超高真空化学气相沉积反应器（UHVCVD）中于900至1100°C高温氢气环境下进行原位烧结。利用原子力显微镜（AFM）、扫描电子显微镜（SEM）和高分辨透射电子显微镜（HRTEM）分析其结构与形貌特性；通过光致发光光谱（PL）、时间分辨光致发光（TRPL）、拉曼光谱及傅里叶变换红外光谱（FT-IR）测定光学性质。研究表明：900°C原位加热可脱除多孔层原生氧化层并封闭孔隙，在多孔层顶部形成连续无缺陷表面。该工艺能获得结构与光学性能增强的稳定多孔层，同时调控形貌特性与可见光发射。本文旨在全面测定烧结多孔硅的物理特性，尤其聚焦其结构与光学性质。