四苯基钴(II)卟啉纳米粒子的退火薄膜的结构与光学性质

摘要： 光学常数与其他卟啉衍生物进行了比较。采用X射线衍射、扫描电子显微镜和红外光谱研究了CoTPP晶粒尺寸的结构表征，退火处理可改变热退火后薄膜的形貌。研究了退火对沉积态和退火态薄膜光学能隙的影响，以及某些光学常数的变化。通过控制CoTPP薄膜的聚集致密化程度，研究了退火对薄膜部分光学常数的影响，包括能隙、色散参数以及介电常数的虚部和实部。由于日益增长的对低成本替代硅材料的需求[1]，有机半导体在有机电子学中具有许多应用。有机半导体具有导电和吸光的特性，这些材料可通过化学合成轻松改性[2]。微电子技术的发展催生了新的电子器件，使得有机半导体成为提供商业可行技术的选择。