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InN/InGaN量子点的电偶极矩与空穴及通过开尔文探针力显微镜直接测量的巨大表面光伏电压
摘要： 我们通过开尔文探针力显微镜直接测量了富铟InGaN层上生长的InN量子点（QDs）的电极化偶极矩。这一成果显著深化了对InN/InGaN量子点在离子与生物传感、光电化学水分解制氢等领域卓越催化性能的理解，也推动了对第三代InGaN半导体表面特性的整体认知。正向表面光电压（SpV）显示量子点具有向外偶极矩，其偶极电势量级为150毫伏，与先前计算结果一致。经盐酸蚀刻后，为补充测定电极化偶极矩，我们观测到高达-2.4伏的巨大负向SpV（显著超过InGaN带隙能量）。该巨型SpV被归因于伴随空穴出现的强向内电极化偶极矩，其尺寸与原始量子点的横向尺寸及密度相匹配。这一惊人发现揭示了独特的光伏效应与光敏特性。
关键词： 电偶极子、开尔文探针力显微镜、表面光伏效应、InN/InGaN量子点、光伏效应
更新于2025-09-23 15:21:01
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基于单根CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>PbI<sub>3</sub>微/纳米线的表面光伏效应相关高性能光电探测器
摘要： 随着材料尺寸减小至纳米级，其表面态将对性能起关键作用。本研究中的单个CH3NH3PbI3微/纳米线光电探测器可对200-850纳米宽波段光表现出优异的灵敏度与响应度。由于表面空间电荷区多数载流子（空穴）的耗尽，会形成与表面势垒相关的表面态光伏效应。在低工作电压下，该探测器能呈现低暗电流；当靠近正电极连接端受光照射时，光诱导的表面势垒降低会增强导电性，产生较大光电流。此外，在零偏压条件下，仅照射单端邻近区域时，探测器仍能展现较大的光生电压与电流。基于本文研究的CH3NH3PbI3微/纳结构性能，具有表面光伏调控特性的高性能光电探测器将在新一代光电器件中具有重要应用价值。
关键词： CH3NH3PbI3，光电器件，光电探测器，表面光伏效应，微/纳米线
更新于2025-09-23 15:19:57
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掺杂机制对Cu掺杂ZnSe/ZnS/L-半胱氨酸核壳量子点中光生载流子行为的影响
摘要： 通过水相合成法中的成核掺杂和生长掺杂两种方式制备了铜掺杂ZnSe/ZnS/L-半胱氨酸核壳量子点。结合表面光伏（SPV）、光声（PA）及电场诱导SPV技术，并辅以紫外-可见吸收光谱和拉曼光谱，探究了这些铜掺杂量子点中光生自由载流子（FCCs）的传输特性。结果表明：两种掺杂机制导致铜掺杂量子点具有不同的掺杂位置和微观电子结构。与生长掺杂制备的量子点相比，成核掺杂制备的量子点因其独特的微观电子结构展现出更优异的SPV特性——例如在600 nm处因光生FCCs浓度更高而呈现更强的SPV响应强度；其最强SPV响应与最强PA信号的比值达到生长掺杂量子点的2.41倍，这是因为成核掺杂量子点中更多的光生FCCs产生光伏效应而非非辐射退激发过程引发的光声效应；其长波长SPV响应肩峰位置较生长掺杂量子点显著红移，从而在可见光区获得更宽的SPV响应范围；且成核掺杂量子点比生长掺杂量子点具有更明显的施主特征。
关键词： 光生载流子、铜掺杂硒化锌/硫化锌/半胱氨酸、量子点、光声效应、表面光伏效应、成核掺杂、生长掺杂
更新于2025-09-11 14:15:04