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通过带隙梯度调控的Cu(In, Ga)Se2薄膜太阳能电池特性
摘要： 比较了CIGSe-1和CIGSe-2吸收层在能带梯度（Eg梯度）下的性能表现，该梯度通过在背区掺入更高镓含量实现。CIGSe吸收层背部高镓区域较宽的深度范围会因镓相关缺陷及缺陷团簇增多而降低其性能。因此，对于背部具有更宽带隙的能带梯度CIGSe层，适当的能带梯度设计可提升其性能表现。
关键词： CIGSe、带隙梯度、缺陷、表面势、太阳能电池
更新于2025-11-14 17:28:48
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磷掺杂锗核硅量子点的电子充电与输运特性表征
摘要： 我们通过控制低压化学气相沉积（LPCVD）过程中硅和锗的沉积，在热氧化生长的二氧化硅上制备了未掺杂和磷掺杂锗核的高密度硅量子点（Si-QDs）。锗核的掺杂是在预生长硅量子点上选择性生长锗的过程中实现的。通过硬X射线光电子能谱测量，我们确认了磷元素已掺入锗核，锗核中的磷施主浓度估算约为0.09原子百分比。当使用偏压为0V的铑涂层针尖扫描未掺杂与磷掺杂锗核的硅量子点表面时，磷掺杂锗核量子点的表面电位升高约30mV，而未掺杂锗核量子点的表面电位保持不变。这些结果表明：磷施主导致电子从锗核导带被提取。在铑涂层针尖测量的电流图像中，n型硅(100)衬底上磷掺杂锗核量子点的电流水平高于未掺杂锗核量子点，该结果表明磷施主有助于提高来自硅衬底的电子注入速率。
关键词： Ge核，Si量子点，表面势，掺杂，电子输运
更新于2025-09-09 09:28:46