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基于热激活延迟荧光发射体的白光有机发光二极管中发射层结构对电致发光性能的影响
摘要： 采用蓝光（DMAC-DPS(B)）、绿光（4CzIPN(G)）和红光（4CzTPN-Ph(R)）热活化延迟荧光材料制备了白光有机发光二极管（WOLED），并研究了发射层（EML）结构（包括EML厚度和4CzTPN-Ph(R)掺杂浓度）对G/B、G/R/B及R:G/B器件电致发光（EL）性能的影响。研究发现，简单G(20nm)/B(10nm) EML结构的WOLED实现了约16 lm/W的最大功率效率（PE）和81的显色指数（CRI）。其中R:G/B EML的EL性能优于G/R/B EML。特别地，通过精确调控EML厚度和4CzTPN-Ph(R)掺杂浓度，R(1wt%):G(20nm)/B(10nm) EML可获得高达90的显色指数及约13 lm/W的最大功率效率，表明基于非掺杂TADF发射器的WOLED实现了EL效率与CRI的平衡。此外，堆叠EML结构G(20nm)/R(0.1nm)和G(20nm)/R(0.1nm)/B(10nm)比混合EML结构R(1wt%):G(20nm)和R(1wt%):G(20nm)/B(10nm)表现出更严重的延迟荧光（DF）猝灭现象，表明夹层0.1nm 4CzTPN-Ph(R)层会引发更强的猝灭效应导致EL性能恶化。研究发现夹层4CzTPN-Ph(R)超薄层产生的不同光致发光（PL）及瞬态PL衰减动力学是关键因素，并详细讨论了导致EML结构依赖性EL性能的衰减动力学机制。
关键词： WOLED（白光有机发光二极管）、TADF（热活化延迟荧光）、发射层（EML）、衰减动力学
更新于2025-11-14 15:24:45
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零维硅量子点中新兴的原子能级
摘要： 受可调发射波长胶体半导体量子点（QDs）的推动，其以激子吸收峰为特征，在器件制备中展现出卓越的光稳定性与溶液加工性，已成为纳米医学和光电子学的关键工具。直径大于2纳米、表面氢封端的金刚石立方晶硅（Si）量子点具有体相继承的自旋与谷特性。本文展示了一个新发现的硅量子点尺寸区间：该区间内数百皮秒量级的快速辐射复合主导了光致发光（PL）。尽管保留了类似体相的晶体结构，但将直径控制在1.1-1.7纳米范围内可实现强发光效应，其光谱在530-580纳米窗口连续可调、谱线宽度窄且无发射拖尾，并具备光生载流子的快速弛豫特性。相比之下，直径大于1.8纳米的量子点则呈现微秒量级的衰减时间，与既往硅量子点特性一致。除光致发光衰减时间存在五个数量级变化外，系统研究其温度依赖性表明：较小量子点的能带结构不再保持间接带隙特性。研究指出1.7纳米直径是能量结构从体相向分子构型转变的关键临界值。
关键词： 衰减动力学、尺寸效应、硅、光致发光、量子点
更新于2025-09-23 15:19:57
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脉冲激光激发下碳材料表层的辐射热衰减动力学
摘要： 实验与理论研究了碳材料表层经调Q钕激光脉冲激发后热辐射的衰减过程。研究发现，衰减曲线可用两个衰减时间分别约为10纳秒和100纳秒的指数分量叠加来较好地近似描述。样品经多脉冲激光辐照时衰减曲线的变化，可解释为这两个分量强度重新分布的结果?；诩扑慊Ｄ饨峁贸鼋崧郏悍⒐馑ゼ跏奔溆杉す夥浯┩干疃扔肴壤┥⒊ざ鹊谋戎稻龆?，这为测定被研究材料高温（数千开尔文）薄表层的热导率系数提供了可能。
关键词： 衰减动力学、温度传导率、脉冲激光激发、碳材料、热辐射
更新于2025-09-16 10:30:52