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oe1(光电查) - 科学论文

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  • 基于极性和非极性取向纤锌矿GaN的Ni/GaN肖特基势垒IMPATT二极管在太赫兹应用中的噪声特性

    摘要： 本文通过数值模拟研究了基于极性和非极性取向纤锌矿GaN的Ni/GaN肖特基势垒碰撞电离雪崩渡越时间（IMPATT）二极管的噪声性能。结果表明，非极性IMPATT二极管展现出对应低噪声系数（NM）的更宽高频段范围。当J0分别为1 kA/cm2、10 kA/cm2和100 kA/cm2时，与非极性器件相比，极性IMPATT二极管的低噪声频段上限分别从159.2 GHz提升至184.3 GHz、183.4 GHz提升至245.7 GHz以及212.2 GHz提升至285.6 GHz。分析证实该机制源于非极性取向纤锌矿GaN中负微分迁移率（NDM）特性的优异表现。特别值得注意的是，非极性器件在噪声与射频功率性能的协同性方面仍具优势，能显著提升太赫兹频段IMPATT二极管的稳定性。

    关键词： 负微分迁移率，镍/氮化镓，极化，噪声测量，负电阻

    更新于2025-09-23 15:19:57

  • 负微分迁移率区砷化镓光电导半导体开关的时间抖动研究

    摘要： 研究了波长为1053 nm、脉宽为500 ps光激励下砷化镓光电导半导体开关(PCSS)的时间抖动特性。实验结果表明，在负微分迁移率(NDM)区域，GaAs PCSS的时间抖动呈现非单调变化规律，所有时间抖动值均低于开关波形上升时间的4%。在NDM区起始点获得了约15 ps的最优时间抖动。建立了光激励参数、偏置电场与GaAs PCSS时间抖动之间的理论关系，指出电场作用下时间抖动的非单调行为源于载流子谷间跃迁导致的漂移速度相对涨落不稳定性。

    关键词： 载流子谷间跃迁、光电导半导体开关、砷化镓（GaAs）、负微分迁移率（NDM）、时间抖动

    更新于2025-09-04 15:30:14