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[IEEE 2018年第19届微纳技术与电子器件青年专家国际会议(EDM) - 俄罗斯阿尔泰共和国埃尔拉戈尔 (2018.6.29-2018.7.3)] 2018年第19届微纳技术与电子器件青年专家国际会议(EDM) - 130纳米SiGe BiCMOS差分宽带跨阻放大器
摘要： 为构建现代超高速片上系统，需要高频跨阻放大器。鉴于该放大器连接于系统输出端，对其非线性失真水平提出了较高要求。此外，放大器还应具有较小的带宽不平坦度。本文提出了一种全差分跨阻放大器，可实现与50Ω负载的系统匹配。该放大器工作频率范围为0.1...3GHz，增益20dB，不平坦度不超过2dB。所述放大器采用130nm SiGe BiCMOS工艺制造，工作温度范围-40...85°C，电流消耗为18mA。
关键词： SiGe（锗硅）、射极跟随器、跨阻放大器、差分级联、匹配、BiCMOS（互补双极金属氧化物半导体）
更新于2025-09-10 09:29:36
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基于高增益跨阻运算放大器的简易紫外双光束分光光度计检测器设计（用于RNA测量）
摘要： 本工作设计了一种用于核酸检测的简易双光束分光光度计检测器。该系统采用光电二极管作为传感器，包含对数跨阻放大电路和滤波电路。通过运行RNA样本验证了所开发原型设计的准确性，结果表明我们简化的装置能够检测出样本中RNA的存在。
关键词： 光电二极管，跨阻放大器，核糖核酸，双光束
更新于2025-09-09 09:28:46
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[IEEE 2018年计算、通信与信息学进展国际会议(ICACCI) - 印度班加罗尔(2018.9.19-2018.9.22)] 2018年计算、通信与信息学进展国际会议(ICACCI) - 记忆电阻器对全差分跨阻放大器性能的影响
摘要： 物联网（IoT）技术和应用的进步需要高效低功耗的电路与架构，以维持并提升日益增长的数据处理系统性能。采用忆阻器电路替代高能耗器件是减小芯片面积和降低架构功耗的有效方案。本文提出了一种CMOS-忆阻器全差分跨阻放大器，并评估了忆阻器对放大器性能的影响。该全差分放大器基于180nm CMOS工艺仿真实现，在1pF负载条件下具有5.3-23MHz带宽和2.3-5.7kΩ跨阻增益。我们将基于忆阻器的放大器与传统架构进行对比，报告了增益、频率响应、线性范围、功耗、面积、总谐波失真以及温度变化对性能的影响等指标。
关键词： 跨阻放大器，全差分，180纳米CMOS，物联网，忆阻器
更新于2025-09-09 09:28:46