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oe1(光电查) - 科学论文

4 条数据
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  • 光学示踪剂西妥昔单抗-800CW和曲妥珠单抗-800CW的开发和GMP转化路线图

    摘要： 利用荧光标记单克隆抗体进行光学分子成像对指导外科或内镜手术具有重要附加价值。然而临床试验示踪剂的开发过程复杂，导致其临床应用进展缓慢。我们提出了一条将单克隆抗体示踪剂开发并转化为符合现行药品生产质量管理规范（cGMP）药物产品的路径。方法：针对西妥昔单抗-800CW和曲妥珠单抗-800CW的生产工艺，优化了染料与蛋白标记比例及配方缓冲液。优选配方在cGMP条件下生产并开展全面稳定性研究。根据欧洲药典和cGMP指南要求，通过体积排阻高效液相色谱（SE-HPLC）、pH值测定、渗透压摩尔浓度、目视检查和无菌检测分析示踪剂稳定性。结果：西妥昔单抗-800CW研究了7种配方，曲妥珠单抗-800CW研究了10种配方?；谂浞窖芯拷峁?，每种抗体选择2种配方进行全规模稳定性研究。这些配方均表现良好，完全符合各产品设定的验收标准。结论：我们设计了标准化分子荧光示踪剂开发、配方及cGMP转化的路径。采用该标准化方法，成功开发出两种稳定的临床用抗体类示踪剂。该路径可高效建立符合cGMP的配方，加速新型光学示踪剂向首次人体应用的转化。

    关键词： 光学成像，环磷酸鸟苷，发展，路线图

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 掺钠离子的BaWO4:Ce单晶

    摘要： 采用感应加热铱坩埚，通过提拉法在Malvern MSR4提拉炉上生长了BaWO4、BaWO4:0.5 at.% Ce、BaWO4:1 at.% Ce、BaWO4:0.5 at.% Ce+1 at.% Na及BaWO4:1 at.% Ce+2 at.% Na单晶。利用电子顺磁共振(EPR)光谱在氦气温度下对其进行了研究。根据晶体掺杂情况，发现了一个高(D2d或S4)对称性的孤立中心，以及两个或更多低对称性的其他中心。通过EPR-NMR程序拟合，得到高对称性中心的g矩阵参数为：gx=1.505，gy=1.505，gz=2.731。线宽随温度变化呈现指数增长趋势，低温区显示单声子效应，高温区则表现为拉曼效应与奥巴赫效应的叠加。辐射发光和脉冲高度谱显示其闪烁性能较差，且未检测到铈发射的贡献。

    关键词： 白钨矿、电子顺磁共振、局域对称性、路线图、钨酸钡、结构精修

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 电子级二维材料发展路线图

    摘要： 自2004年首次现代应用以来，二维（2D）材料持续展现出科学与工业潜力，为科学研究及纳米/原子尺度器件开发提供了广阔的材料平台。过去十年该领域研究的重点聚焦于二维半导体——通过维度调控、衬底工程、应变及掺杂等手段可调节其电子特性（Mak等2010《物理评论快报》105卷136805页；Zhang等2017《科学报告》7卷16938页；Conley等2013《纳米快报》13卷3626-30页；Li等2016《先进材料》28卷8240-8247页；Rhodes等2017《纳米快报》17卷1616-1622页；Gong等2014《纳米快报》14卷442-449页；Suh等2014《纳米快报》14卷6976-6982页；Yoshida等2015《科学报告》5卷14808页）。二硫化钼（MoS2）与二硒化钨（WSe2）因其固有且可调的特性、原子级厚度以及相对容易堆叠形成新型定制结构，成为近期电子技术集成研究的主要对象。然而要实现"走出实验室"的应用，必须推动大规模二维层状材料的合成与工程化技术发展，以制备出达到晶圆级规模的"剥离品质"二维层。本路线图旨在通过识别二维层材料能产生重大影响的关键技术领域，探讨实现电子级二维材料的合成与层工程方案，从而应对这一重大挑战。我们重点关注三个基础研究领域——必须在实验与计算两方面深入探索这些领域，才能为电子与光电子应用获得高质量材料。

    关键词： 过渡金属二硫化物、二维材料、重大挑战、技术驱动力、二维电子学、合成、路线图

    更新于2025-09-23 15:22:29

  • 通过TOPCon实现PERC太阳能电池渐进式升级的效率路线图：寄生吸收的影响

    摘要： 通过薄界面氧化层和高掺杂多晶硅层（如TOPCon技术）形成的钝化接触，即将应用于太阳能电池的大规模生产。投资决策依赖于研发工作以确定最具前景的实施方案——即基于预测性能提升的可靠路线图。本文通过数值模拟系统量化了性能潜力，重点研究无主栅p型双面钝化发射极背接触（PERC）技术的渐进式升级方案。我们特别强调：不仅要考虑钝化接触的电学增益，还需评估前后表面光照时多晶硅层寄生吸收导致的光学损失。通过实验测试结构表征多晶硅中自由载流子吸收对电池光学性能的影响，从而验证光学模拟模型。在后表面全面引入TOPCon结构并使其与前表面栅线局部对齐，可使PERC效率绝对值提升约1%。最终器件的性能主要受限于p型c-Si基体与磷掺杂前发射极的损失。因此，这种渐进式TOPCon升级方案对于未来改进型p-PERC电池具有重要参考价值——可作为当前聚焦硼发射极n型TOPCon电池的替代方案。

    关键词： 寄生吸收、Sentaurus TCAD、TOPCon、模拟、钝化接触、自由载流子吸收、路线图、Quokka3

    更新于2025-09-16 10:30:52