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相邻环形成的新型金属酞菁的合成、导电性及阻抗研究
摘要： 分别描述了含两个双[2-(4-羟基苯基)-2-丙基]苯（通过邻位环连接）的钴(II)、锌(II)和镍(II)酞菁(Pc)配合物4、5和6的合成与表征。这些酞菁是通过在干燥氮气氛围下，将预先制备的前体4,4'-双[1,3-丙基苯-2-p-苯氧基]邻苯二腈(3)与金属盐在沸腾的无水DMF中环四聚合而成。采用元素分析、紫外-可见光谱、傅里叶变换红外光谱、MALDI-TOF质谱和氢核磁共振技术对化合物4进行了表征。在293-523K温度范围和40-100kHz频率范围内，对薄膜5和6进行了直流电导率、交流电导率和阻抗谱(IS)测量。室温下薄膜4、5和6的直流电导率值分别为2.11×10?1? S/cm、3.48×10?1? S/cm和1.90×10?1? S/cm。同时计算了薄膜的活化能值。交流电导率结果表明，主导的电荷传输机制可通过取决于温度和频率范围的跳跃模型解释。从阻抗谱的Cole-Cole图中可见，在德拜色散关系中的弛豫时间被认为是弛豫时间值的分布，而非单一弛豫时间。为阐明所得化合物的结构、光谱和键合性质，进行了DFT/TD-DFT计算。
关键词： 密度泛函理论、电导率、电学表征、阻抗谱、金属酞菁、跳跃传导
更新于2025-09-23 15:23:52
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硅基AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管中的垂直电流传输：实验研究与解析模型
摘要： 我们研究了在6英寸硅片上金属有机化学气相沉积生长的碳（C）掺杂AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMTs）中的垂直漏电机制。通过衬底偏压极性相关的I-V特性、温度依赖性拟合以及能带图分析，发现这些器件在4微米缓冲层下击穿电压高达580V时，其垂直传输遵循泊松-弗伦克尔（P-F）型导电机制。根据P-F拟合估算出0.61eV的陷阱激活能，该数值与文献报道值高度吻合。我们提出更高位错密度会导致缓冲层中形成更浅的陷阱，并据此建立了位错介导垂直漏电的解析模型。预测了给定电场下漏电流随位错密度的变化规律，发现在约10^7至10^9 cm^-2的位错密度范围内变化最为剧烈。这可能源于该位错密度区间内陷阱激活能的急剧下降，推测是点缺陷与位错形成复合物所致。
关键词： 高电子迁移率晶体管（HEMT）、垂直漏电、泊松-弗伦克尔（P-F）效应、二维电子气、跳跃传导、氮化铝镓（AlGaN）
更新于2025-09-09 09:28:46