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硅衬底上CdTe/ZnTe双量子点中ZnTe隔离层厚度对光学性质的影响
摘要： 我们研究了Si衬底上CdTe/ZnTe双量子点（DQDs）中ZnTe隔离层厚度对光致发光（PL）动力学的影响。结果表明，该DQD结构有效提升了载流子收集极限及对应单层量子点的热稳定性。通过载流子态热再分布的单一模型解释了异常的温度依赖性PL现象，该模型指出高温下的主要非辐射过程源于与纵向光学声子（能量约19-21.3 meV）发生多声子散射。限制诱导混合效应与电子-载流子耦合效应导致蓝移并增强PL强度。我们认为隔离层通过调控混合层中的热逃逸过程和电子-空穴对来控制光电器件中的载流子动力学。
关键词： 量子点，硅衬底，碲化镉，热逃逸，载流子限制
更新于2025-09-16 10:30:52
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[IEEE 2018年第二届电子与信息学趋势国际会议（ICOEI） - 印度蒂鲁内尔维利（2018.5.11-2018.5.12）] 2018年第二届电子与信息学趋势国际会议（ICOEI） - 面向SoC应用的SOI三栅鳍式场效应晶体管中量化效应与载流子散射效应研究
摘要： 本文对一款前沿的22纳米FinFET晶体管技术进行了优化，使其适用于半导体行业各类半导体器件及应用场景。该器件经过工业级应用优化，亦可应用于市售低功耗片上系统（SoC）产品。仿真获得的器件参数与当前国际半导体技术路线图（ITRS）报告相符，且处于可接受范围内。与常规情况相比，该器件的短沟道效应得到显著抑制。亚阈值摆幅和漏致势垒降低效应表现良好，因此还分析了漏极偏压对器件性能的影响，并研究了其在高漏极偏压下的可靠性。器件仿真采用Sentaurus TCAD完成，数学运算通过MATLAB和Origin软件实现。
关键词： 亚阈值摆幅、TG-FinFET、载流子速度饱和、漏致势垒降低效应、载流子限制
更新于2025-09-09 09:28:46