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退火温度对喷雾沉积V2O5薄膜结构、形貌、光学及电学性能的影响
摘要： 采用简单且经济高效的喷雾热解技术(SPT)，在300°C基底温度下沉积了纳米结构五氧化二钒(V2O5)薄膜，并在300-500°C大气环境下以恒定升温速率进行后退火处理。研究了后退火热处理对V2O5结晶的影响。通过X射线衍射进行结构表征，扫描电子显微镜观察形貌，紫外-可见分光光度计测试光学性能，霍尔探针进行电学表征，并采用拉曼光谱确认物相。X射线衍射分析(XRD)显示，沉积态薄膜为具有(001)择优取向的正交晶系结构。此外观察到随着退火温度升高，晶粒尺寸从22nm增大至56nm。在300-1000nm波长范围内研究了样品的光学特性。拉曼光谱证实了V2O5薄膜的层状结构?；舳вΣ饬勘砻髟亓髯优ǘ人嫱嘶鹞露壬叨浠?
关键词： 拉曼光谱、载流子浓度、退火温度、五氧化二钒
更新于2025-11-21 11:18:25
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通过SnSex + Se气氛中Cu/Zn金属层反应退火制备Cu2ZnSnSe4薄膜的反应机制
摘要： 采用两步法制备了Cu2ZnSnSe4（CZTSe）薄膜：先通过电沉积形成Cu/Zn金属堆叠前驱体，再在含Se+Sn的气氛中进行反应退火。我们研究了Se分压、SnSex（x=1,2）分压及退火温度对CZTSe薄膜形貌、结构和元素分布的影响。线扫描能谱（EDS）测量显示，在较高SnSex分压和较低退火温度条件下制备的CZTSe薄膜背吸收区存在富锌第二相。降低SnSex分压并提高退火温度可减少该富锌相。X射线衍射（XRD）和掠入射X射线衍射（GIXRD）测量证实CZTSe与Mo界面间存在极薄的MoSe2薄膜。这些测量表明工艺参数变化对第二相的形成与聚集具有显著影响。我们提出了CZTSe薄膜可能的反应机理。通过对SnSex分压和反应退火工艺进行初步优化，成功制备出效率为7.26%的太阳能电池。
关键词： 性及SnSex（x = 1,2）分压、退火温度、金属堆叠前驱体、Cu2ZnSnSe4（CZTSe）、电沉积
更新于2025-11-14 15:15:56
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硫化铜粉末的结构与热电性能
摘要： 过去几年中，铜基材料因其结构和热电性能受到广泛研究。本研究采用溶胶-凝胶法合成了硫化铜粉末，通过X射线衍射、差热分析和扫描电子显微镜对样品的化学成分及形貌特性进行了表征。结果表明，退火处理可实现物相转变。研究发现电阻率和晶粒尺寸受相变显著影响。热电分析显示辉铜矿相在室温下具有最高功率因子?；衔顲u1.8S的塞贝克系数在γ-β相变温度出现明显峰值，该现象可通过原子-载流子体系无序度的急剧增加得到统计学解释。
关键词： 热电效应、硫化铜、退火温度、相变
更新于2025-09-23 15:22:29
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热退火对氧化锌锡薄膜结构和电学性能的影响及其在透明导电电极中的应用
摘要： 采用电子束蒸发技术制备的沉积态及退火态氧化锌锡(Zn2SnO4)薄膜，通过结构、光学及电学性能表征发现：X射线衍射分析表明沉积态薄膜呈非晶态，而经400℃、500℃和600℃空气退火的薄膜呈现多晶特性。电阻-温度测试显示，从非晶态到结晶态Zn2SnO4的相变导致电阻升高?；舳вΣ馐员砻鞒粱∧さ牡缱忧ㄒ坡饰?3cm2/V·s，载流子浓度(电子)为8.361×101?cm?3。原子力显微镜(AFM)观测到退火薄膜存在晶粒团聚现象。紫外-可见光谱显示的光学透射谱峰证实退火后在导带底与价带顶之间形成了子能级。通过Tauc图计算的带隙变化揭示了热退火后费米能级向价带顶移动的可能性。
关键词： 退火温度，Zn2SnO4，带隙，氧空位，电子束蒸发，透明导电氧化物（TCOs）
更新于2025-09-23 15:22:29
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退火温度对无铅(CH<sub>3</sub>NH<sub>3</sub>)<sub>3</sub>Bi<sub>2</sub>I<sub>9</sub>太阳能电池光伏性能的影响
摘要： 研究了退火温度对无铅(CH3NH3)3Bi2I9太阳能电池光伏性能的影响。采用热风辅助旋涂法制备(CH3NH3)3Bi2I9光伏电池，将旋涂后的(CH3NH3)3Bi2I9光活性层在100-150°C温度下退火。电流密度-电压特性测试表明，随着退火温度升高，转换效率提升。通过X射线衍射、扫描电子显微镜、能量色散X射线光谱和紫外-可见-近红外光谱分析了(CH3NH3)3Bi2I9光活性层的微观结构和光学特性。研究发现晶格常数、晶粒尺寸、表面形貌及碘/铋比例随退火温度变化，这些变化导致了(CH3NH3)3Bi2I9太阳能电池光伏特性的改变。
关键词： 太阳能电池，(CH3NH3)3Bi2I9，退火温度，光伏性能
更新于2025-09-23 15:21:01
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采用不同退火温度处理的炭黑-二氧化钛复合对电极的染料敏化太阳能电池（DSSC）性能研究
摘要： 采用固相法合成了炭黑-二氧化钛复合对电极，并在不同退火温度（450-550°C）下进行热处理。该复合材料作为染料敏化太阳能电池中铂的替代对电极进行研究，旨在提高光能转化为电能的转换效率。通过X射线衍射对合成样品进行结构表征，发现退火温度显著增强了炭黑-二氧化钛的锐钛矿结构。场发射扫描电子显微镜观察显示其表面形貌和晶粒尺寸具有介孔结构特征，这对实现高质量染料和电解液分布至关重要。电化学研究表明：提高退火温度可能导致电荷转移电阻增大，从而降低催化活性。观测发现炭黑-二氧化钛的光伏性能受退火温度显著影响，在525°C退火温度下获得最佳光伏参数：短路电流密度JSC=6.10 mA/cm2、开路电压VOC=0.51 V、填充因子FF=0.89，光电转换效率η=2.77%。
关键词： 炭黑-二氧化钛复合材料，固态法，对电极，退火温度
更新于2025-09-23 15:21:01
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MAPbI3-xClx标准钙钛矿太阳能电池中效率与器件特性之间的相关性
摘要： 混合有机-无机卤化物钙钛矿太阳能电池（PSCs）因其高达25%的诱人转换效率，在光伏领域备受关注。表征工具作为重要手段，可在器件制造初期阶段帮助确定优化处理参数，而无需测量完整太阳能电池的J-V曲线。本研究采用一步沉积法制备了平面NIP结构（ITO/SnO2/MAPbI3-xClx/HTL/Au）器件，系统研究了电子传输层（SnO2）的退火温度及不同空穴传输层材料的影响。同时运用X射线衍射、紫外-可见吸收光谱和光致发光光谱等技术，分析了活性层结晶度、吸收特性，并探测钙钛矿与界面层间的电荷转移过程。通过调整工艺参数，器件效率可从10%提升至13.2%。
关键词： 二氧化锡，空穴传输层材料，钙钛矿太阳能电池，退火温度，MAPbI3-xClx，光伏性能
更新于2025-09-23 15:21:01
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通过调控ZnO纳米结构形貌提升Al/ZnO/p-Si/Al异质结太阳能电池的功率转换效率
摘要： 本文提出一种经济高效的溶胶-凝胶法合成ZnO纳米结构，用于制备Al/ZnO/p-Si/Al异质结太阳能电池。研究者在p型硅表面生长晶态ZnO纳米结构，并分别在300°C、400°C和500°C温度下退火以适配异质结太阳能电池应用。XRD与SEM成像证实，获得均匀晶态纳米结构的最优退火温度为500°C。紫外-可见光谱分析表明，该ZnO纳米结构层在可见光波段具有高透射率，其直接带隙为3.26-3.28 eV。由于退火温度升高促使ZnO形成增大表面积的晶态纳米结构，Al/ZnO/p-Si/Al太阳能电池的功率转换效率从1.06%提升至2.22%。在AM 1.5光照条件下通过电流-电压(I-V)测试测得最优短路电流(Isc)和开路电压(Voc)分别为9.97 mA和460 mV。
关键词： 功率转换效率、溶胶-凝胶法、退火温度、异质结太阳能电池、氧化锌纳米结构
更新于2025-09-23 15:19:57
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CsI浓度、相对湿度和退火温度对无铅Cs2SnI6钙钛矿的影响：面向可见光光电探测器应用
摘要： 报道了通过直接溶液旋涂法在热氧化硅(SiO2, 100 nm)衬底上制备的稳定无铅Cs2SnI6(CSI)钙钛矿薄膜的物理、电学及光电探测性能。XRD、XPS和EDS分析表明初始高浓度CsI环境及较高湿度(>40%)会影响CSI薄膜的相形成。场发射扫描电镜(FEG-SEM)确认制备的CSI薄膜具有多孔亚微米级棒状结构。与75℃退火处理的薄膜相比，150℃退火的CSI薄膜接触电阻(Rc)和方块电阻(Rsh)分别降低37%和85%。在100℃退火条件及1V偏压下，双端CSI光电探测器实现了6 mA/W的光响应度和2.00×10^9 Jones的比探测率。低温制备的CSI器件初步光电性能表明其有望应用于柔性可见光探测器。
关键词： 电学和光电检测性能、相对湿度（RH%）水平、碘化铯（CsI）浓度、退火温度、结构
更新于2025-09-23 15:19:57
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碳布上生长碳纳米管负载的氮掺杂石墨烯量子点用于储锂
摘要： 石墨因其优异的稳定性和低成本，已被广泛用作商用锂离子电池的负极材料。然而，基于石墨的负极需要提高储能容量以满足下一代技术日益增长的功率需求。在此，我们开发了一类新型柔性电极材料——由生长在碳布上的碳纳米管支撑的氮掺杂石墨烯量子点（记为CC/CNT@N-GQD）。这种结构协同结合了三维/一维基底与零维N-GQD的优势，显著提升了N-GQD的电子/离子传输动力学，从而表现出高可逆容量和优异倍率性能等出色电化学特性。此外，退火温度对控制CC/CNT@N-GQD的氮掺杂类型具有重要作用。经500°C退火的CC/CNT@N-GQD负极含有高含量吡啶氮，在4 mA cm?2电流密度下展现出2.88 mAh cm?2的优异倍率性能，并在0.19 mA cm?2下循环150次后仍保持3.63 mAh cm?2的可逆容量。
关键词： 碳纳米管、碳布、储锂性能、退火温度、吡啶氮、N掺杂石墨烯量子点
更新于2025-09-19 17:13:59