透明NiO栅控AlGaN/GaN异质结构场效应晶体管中的快慢界面陷阱

摘要： 在本研究中，我们考察了透明NiO栅控AlGaN/GaN异质结场效应晶体管的可靠性。与TiN肖特基栅控器件相比，p型NiO电极能有效抑制栅极漏电流并使阈值电压正向偏移。脉冲模式和温度依赖的电流-电压测试表明两类器件均具有良好的稳定性。频率相关的电导测量证实：TiN栅控器件仅检测到快态陷阱，而NiO栅控器件同时存在快慢两种陷阱。慢态陷阱归因于NiO与AlGaN/GaN之间II型交错能带结构中的空穴俘获现象，高频环路扫描曲线中明显的阈值电压不稳定性也验证了这一结论。