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宽带隙半导体中重空穴的自俘获与有序排列
摘要： 扫描隧道显微镜（STM）已被用于宽禁带半导体β-Ga2O3表面自陷空穴的成像与操控。在n型掺杂样品中观测到由局域化空穴构成的正电荷表面层，其密度为10^13 cm^-2。研究表明该表面层可通过STM针尖的空穴泵浦实现填充。同时观测到了自陷空穴玻璃相与有序条纹相之间的转变。分析表明，自陷空穴的饱和二维密度可能由自陷能与库仑排斥能的平衡所决定。
关键词： β-氧化镓，扫描隧道显微镜，自俘获，重空穴，电荷有序，维格纳-莫特态
更新于2025-09-23 15:23:52