- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
[IEEE 2018精密电磁测量会议(CPEM 2018)- 法国巴黎(2018年7月8日-2018年7月13日)] 2018年精密电磁测量会议(CPEM 2018)- (Bi,Sb)2Te3的零场量子化反?;舳缱?
摘要: 在量子反常霍尔效应中,铁磁掺杂拓扑绝缘体的边缘态在零磁场下呈现量子化霍尔电阻和无耗散输运。本文报道了零外磁场下钒掺杂(Bi,Sb)?Te?器件的电阻量子化测量结果。我们测得量子化反常霍尔电阻相对于R_K的偏差值为0.17±0.25微欧/欧。这是实现实用化零场量子电阻标准的重要一步,该标准未来与约瑟夫森效应结合可提供普适的量子单位基准。
关键词: 量子反常霍尔效应、量子电阻标准、量子霍尔效应
更新于2025-09-10 09:29:36
-
朝向外延石墨烯p-n结作为电可编程量子电阻标准
摘要: 我们报道了采用剥离六方氮化硼(h-BN)作为栅极介质的顶栅外延石墨烯p-n结的制备与测量。单个结的四端纵向电阻在冯·克利青常数RK处呈现良好量子化,相对不确定度为10^-7。通过探索大量参数空间后,我们总结了这些器件作为潜在电阻标准的适用条件。此外,我们还提出了利用外部栅压实现六个数量级可编程电阻标准的设计方案。
关键词: p-n结、量子电阻标准、栅极电介质、六方氮化硼、外延石墨烯
更新于2025-09-09 09:28:46