- 标题
- 摘要
- 关键词
- 实验方案
- 产品
-
具有半导体和黄光发射特性的二维钙钛矿杂化材料
摘要: 由于结构多样性及其在光电器件中的潜在应用,无机-有机杂化材料近年来备受关注。它们在荧光、光电导、铁电性和太阳能电池等领域具有应用潜力。本研究采用[H2(dmen)]2+作为模板和平衡阳离子,通过溶剂热法合成了一种新型无机-有机杂化物[H2(dmen)]PbCl4(dmen = N,N-二甲基乙二胺)。其无机结构为二维(2D)单层钙钛矿。该化合物表现出典型的半导体行为,其电导率随温度升高而增加。该化合物还具有黄光发射特性,显示出在发光二极管中应用的巨大潜力。
关键词: 半导体、钙钛矿、功能基元、无机-有机杂化材料、发光二极管
更新于2025-09-23 07:43:13
-
[IEEE 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议(SISPAD) - 美国德克萨斯州奥斯汀(2018.9.24-2018.9.26)] 2018年国际半导体工艺与器件模拟会议(SISPAD) - 鳍角场增强对FinFET分裂栅MONOS编程特性影响分析
摘要: 分析了鳍片角落处场增强效应对FinFET分裂栅金属氧化物氮化物氧化物硅(SG-MONOS)编程特性的影响。研究发现采用源极侧注入(SSI)的编程特性对鳍片角落曲率半径的变化不敏感,这表明FinFET SG-MONOS对制造工艺中鳍片形状变化具有鲁棒性。
关键词: 鳍式场效应晶体管,金属-氧化物-氮化物-氧化物-半导体
更新于2025-09-23 08:41:11
-
具有增强污染物去除光催化活性的新型I掺杂Bi12O17Cl2光催化剂
摘要: 通过简易化学沉淀法合成了I掺杂Bi12O17Cl2光催化剂,并采用XRD、XPS、SEM、BET和UV-vis DRS等技术进行表征。结果表明:I?离子进入Bi12O17Cl2晶格并取代部分Cl?离子,在价带上方形成杂质能级,从而拓宽了Bi12O17Cl2的可见光吸收范围。在甲基橙(MO)和苯酚降解反应中,I掺杂Bi12O17Cl2展现出比纯Bi12O17Cl2更优异的可见光(λ>420 nm)光催化活性——少量I?离子能提升光生电荷分离效率,该结论通过光致发光光谱、瞬态光电流响应和电化学阻抗谱得到证实。本研究有望为通过离子掺杂策略提升非化学计量比卤氧化铋光催化活性开辟新途径。
关键词: B. 化学合成,C. 电化学测量,D. 催化性能,A. 半导体
更新于2025-09-23 08:48:13
-
SILAR技术制备的Mn3O4纳米结构薄膜中钴掺杂对其光学和形貌特性的影响
摘要: 采用SILAR技术成功在钠钙玻璃衬底上沉积了钴掺杂氧化锰薄膜(Mn3O4:Co)。通过XRD、SEM、紫外-可见光谱和拉曼光谱对Mn3O4:Co薄膜进行了表征。XRD谱图显示薄膜具有典型的黑锰矿晶体结构。纯相及0.5 at.%钴掺杂氧化锰薄膜(Mn3O4)的择优取向为(002)晶面,但随着钴掺杂量增加,该择优取向逐渐向(211)晶面偏移。利用紫外-可见光谱测定了Mn3O4:Co薄膜的吸光度、透光率和光学带隙,这些特性因钴掺杂产生显著差异。纯Mn3O4薄膜的光学带隙为2.00 eV,而钴掺杂使该数值先升高后略微下降。钴掺杂使Mn3O4:Co薄膜的透光率从60%提升至70%。在658 nm波长处确认了纯相与掺杂Mn3O4薄膜的特征振动峰A1g模式。
关键词: 拉曼、西拉尔、半导体、掺杂效应、黑锰矿
更新于2025-09-23 10:15:43
-
从亚微米柠檬酸锌前驱体制备ZnO亚微米及微米结构形态调控
摘要: 已通过湿化学法研究了由柠檬酸锌纳米颗粒组成的柠檬酸锌前驱体所生成的高结晶性ZnO亚微米和微米结构的形貌演变。前驱体柠檬酸锌浓度与柠檬酸钠添加量是控制ZnO微观形貌的关键因素。组装生长形成了具有双锥和花状形貌的ZnO亚微米及微米结构,其中ZnO花状结构由锥形花瓣组成。通过调节柠檬酸钠用量可进一步调控ZnO微结构形貌,制备出薄厚不一的六角形片层。在高锌浓度条件下,厚六角形片层会分裂为花状形貌。形貌演变研究表明,柠檬酸钠对控制极性(0001)晶面生长速率至关重要,花状结构的形成归因于高柠檬酸锌浓度下晶体单元的组装。
关键词: 半导体、形貌、亚微米与微结构、氧化锌
更新于2025-09-23 12:53:19
-
结构明确的石墨烯纳米带作为新一类半导体的溶液法及表面合成方法
摘要: 石墨烯纳米带(GNRs)是准一维的石墨烯亚单元,与零带隙的石墨烯不同,它们具有开放带隙。作为新一代碳基半导体材料(例如在纳米电子和光电子应用领域),GNRs的高潜力推动了其制备研究的发展。主流的自上而下方法(如石墨烯的光刻图案化和碳纳米管的解链法)无法避免缺陷形成。相比之下,从定制分子前体出发的自下而上化学合成法可实现原子级精确的GNRs。本文综述了我们通过三种不同方法实现GNRs自下而上合成的最新研究进展:(1) 溶液法;(2) 超高真空(UHV)条件下的表面合成法;(3) 化学气相沉积(CVD)表面合成法。溶液合成法可制备长程(>600纳米)且适合液相加工的GNRs,并能对边缘进行功能化修饰。而UHV条件下的表面合成法则能形成锯齿形GNRs,并通过原子级分辨率扫描探针显微镜原位观测其化学结构。虽然UHV表面合成通常成本较高且规?;芟蓿弑腹ひ悼尚行缘腃VD方法可实现低成本大规模GNR薄膜生产。我们比较了这三种方法在可实现的GNR结构、电子/光学特性调控能力以及器件集成后处理工艺方面的差异,并展望了自下而上GNR领域的未来发展方向。
关键词: 半导体、化学气相沉积、表面合成、超高真空、石墨烯纳米带、光电子学、自下而上合成、溶液合成
更新于2025-09-23 16:04:18
-
原位离子交换法合成花椰菜状AgBr/Ag3PO4/磺化聚苯乙烯球异质结光催化剂及其增强的光催化活性
摘要: 以含银离子废水和磺化聚苯乙烯球(SPS)为原料,采用原位离子交换法制备了花椰菜状AgBr/Ag3PO4/磺化聚苯乙烯球(SPS)异质结光催化剂。通过场发射扫描电子显微镜、X射线衍射和紫外-可见漫反射光谱(UV-Vis DRS)对AgBr/Ag3PO4/SPS光催化剂进行表征。结果表明,AgBr纳米颗粒和Ag3PO4纳米颗粒高度分散于磺化聚苯乙烯表面,且AgBr与Ag3PO4之间形成了异质结结构,有利于光生电子和空穴的分离。因此,该AgBr/Ag3PO4/SPS光催化剂在可见光照射下对水中罗丹明B(RhB)表现出优异的光催化降解活性。循环测试表明,该光催化剂还具有良好的稳定性。
关键词: 半导体、功能材料、聚合物复合材料、溴化银/磷酸银/SPS
更新于2025-09-23 19:38:33
-
当代科技与创新专题:半导体中的超快弛豫过程
摘要: 当今现代技术的显著发展——这些技术对世界社会的进步与福祉至关重要——给基础物理学领域,尤其是热力学统计带来了巨大压力。在电子学和光电子学中,我们面临着涉及远离平衡态的物理化学系统的情况,其中存在超快(皮秒和飞秒量级)和非线性过程。在此,我们对半导体激发等离子体中的超快弛豫过程问题进行了全面概述。
关键词: 非平衡热力学、超快弛豫、半导体
更新于2025-09-23 20:10:01
-
高能球磨法合成SnSb2Te4微片
摘要: 本研究表明,高能球磨工艺可在无需表面活性剂和后续退火的情况下合成SnSb2Te4。通过确定球料比(5:1)和球磨时间(2小时)等参数,成功制备出SnSb2Te4微片。采用X射线粉末衍射、扫描电子显微镜和电阻测量对不同球磨时长的粉末进行了表征。
关键词: 机械合金化、半导体、电学性能
更新于2025-09-23 20:12:15
-
茧状Ag3PO4的合成及其在环丙沙星光催化降解中的高性能表现
摘要: 采用Ag2MoO4和Na2HPO4为前驱体,通过离子交换法合成了具有中空结构的蚕茧状Ag3PO4(C-Ag3PO4)。研究了该材料在可见光照射下对环丙沙星(CIP)的光催化降解性能。由于其更大的比表面积和中空结构,C-Ag3PO4表现出优异的CIP光降解能力。此外,经过多次循环反应后,C-Ag3PO4仍保持良好的光催化性能和稳定性,这归因于可见光照射下生成的金属银。通过自由基捕获实验表明,光生空穴(h+)和超氧自由基(?O2?)是光降解过程中的主要活性物种。
关键词: 环丙沙星、中空结构、半导体、磷酸银、光催化
更新于2025-09-24 04:07:18